Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
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概要
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Si(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜を成長させることで、形成されるInSb薄膜がSi基板に対して30°回転し、結晶品質及び電子移動度が改善できることが分かった。しかし、Si基板表面全体を均一なInSb単分子層によって覆うことができていないため、未だ改善の余地がある。今回、このInSb単分子層形成に関連して、Si(111)面上におけるSb再構成構造上へのIn原子の吸着状態について検討した。その結果、よく似た条件下で形成されるSb(2x1)及びSb(√3x√3)再構成構造上における、In原子の吸着係数の温度依存性が大幅に異なることが明らかになった。これをふまえ、現在の手法より制御し易いInSb単分子層形成法を提案する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-08
著者
-
丹保 豊和
富山大学工学部電気電子システム工学科
-
森 雅之
富山大学工学部
-
前澤 宏一
富山大学工学部
-
斉藤 光史
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
斉藤 光史
富山大学vbl
-
斉藤 光史
富山大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
山下 勇司
富山大学工学部
-
丹保 豊和
富山大学理工学研究科
-
丹保 豊和
富山大学工学部電子情報工学科
-
丹保 豊和
富山大学工学部
-
前澤 宏一
富山大学理工学教育部:研究部
-
斉藤 光史
首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻
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