Sb介在LT-Siバッファー層上Si_<0.75>Ge_<0.25>合金層の高分解能X線回折研究(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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Sbを介して成長させた低温成長Si(LT-Si)バッファー層上のSi_<0.75>Ge_<0.25>合金層中の残留歪を、LT-Si層の成長温度の関数として、高分解能X線回折法で測定した。 LT-Siの成長直前に極薄Geを成長させた。このGe層は、転位核サイトの形成に有意に働くと考えられる。合金層の残留歪はバッファー層の成長温度の低下と共に減少し、300℃成長ではおよそ-0. 06%であった。 AFM観察では、表面は極めて平坦であった。LT-SiとSi_<0.75>Ge_<0.25>合金層の結晶性を評価するために、対称、及び非対称方向での試料の逆格子マッピングを測定した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-03
著者
-
龍山 智栄
富山大 工
-
丹保 豊和
富山大学工学部電気電子システム工学科
-
Rahman M
富山大学工学部電気電子システム工学科
-
龍山 智栄
富山大学工学部
-
鄭 樹啓
富山大学工学部
-
Rahman M.
富山大学工学部電気電子システム工学科
-
丹保 豊和
富山大学工学部
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