3a-BG-12 GaSeのフォトルミネッセンス III

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1978-03-10

著者

• 須藤 誠

  富山大 工

• 龍山 智栄

  富山大 工

• 市村 昭

  富山大 工

関連論文

• 3a-BG-12 GaSeのフォトルミネッセンス III
• 10a-Q-2 GaSeのフォトルミネッセンスII
• 4a-G-2 GaSeのフォトルミネスセンス
• 14a-S-12 GaSe,InSeの酸化過程
• 1p-K-19 V_2O_3の高温転移近傍でのラマン散乱(III)
• GaSe層間化合物の光吸収とXPSスペクトル(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 3a-NGH-6 V_2O_3高温転移近傍におけるラマン散乱による観察
• 2a-NL-11 GaSeインターカレーション化合物の光吸収とXPSスペクトル
• GaSe層間化合物の電気的,光学的性質
• 酸化バナジウムの金属-絶縁体転移
• 2p GE-8 空間電荷制限電流 (SCLC) によるGaSeのtrap-centerの研究
• (0001)面サファイア基板上のGaNの気相エピタキシャル
• 9a-S-5 クロロフィル累積膜の光電特性(II)
• GaSe-SnO_2ヘテロ接合の電気的,光学的特性
• GaNの結晶成長とその電気的性質
• 11p-F-15 半導体における電子-正孔対不安定性
• 5p-Q-4 GaSe-SnO_2ヘテロ接合の電界発光
• 4a-KL-10 GaSeの磁気抵抗効果
• 酸素ラジカルビームを用いたBi系超伝導薄膜のMBE成長
• パーソナルコンピュータによるESCA測定の自動化
• GaAs(001)面上へのGaSe薄膜の成長
• 2a-M-1 GaSe,InSeのエネルギー損失分光
• 30a-K-4 金属フタロシアニンのXPS
• AFMとHRXRDよるSi/SiGeにおける構造変形の観測(薄膜プロセス・材料, 一般)
• Si(111)-(7×7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着(薄膜プロセス・材料,一般)
• Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程(薄膜プロセス・材料,一般)
• Si(001)-Sb(8×2)+(4×2)混合再構成の構造と形成過程
• Si(111)面のIn誘起表面再構成上へのSbの吸着
• 層状半導体の電気的特性
• 厚膜集積化ガスセンサによる室内VOCの識別
• 室内空気汚染に対して高感度な酸化物半導体材料の探索
• イオンマイグレーションによるガラス基板上の銀デンドライトの成長とそのフラクタル次元
• Sb介在LT-Siバッファー層上Si_Ge_合金層の高分解能X線回折研究(薄膜プロセス・材料,一般)
• Sb介在LT-Siバッファー層上Si_Ge_合金層の高分解能X線回折研究
• 27p-D-12 色素分子の螢光・ラマン散乱における下地金属依存
• Si(100)-2×1面上におけるGe薄膜の初期成長過程
• 5a-E-9 Si(100)-2×1面上でのGe薄膜の初期成長過程
• 2a-TC-8 金属表面に吸着した色素のけい光とラマン散乱
• Si(111)7×7および(100)2×1清浄表面におけるGeの初期成長過程と超構造(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
• 27p-Y-8 LEED/AESによるGe on Siの観察
• 6a-R-7 NMP-TCNQ電荷移動複合体の電気的特性
• 3a-N-4 アントラセン蒸着膜の蛍光偏光特性及びElectroluminescence特性
• 6a-KF-3 アントラセン蒸着膜の電気的および光学的特性(その1)
• 5p-KF-14 Si,Ge配位フタロシアニンの電気的特性(その1)
• 25a-K-3 有機電荷移動錯体の光電特性I
• 25a-G-2 GaSe-ZnSeヘテロ接合の光電特性II
• Si(001)基板上の短周期(Si_m/Ge_n)_N超格子を用いたSi_Ge_合金のMBE成長
• 12p-D-2 酸化バナジウム蒸着膜のECとXPS
• 27p-B-8 (V_Cr_x)_2O_3のラマン散乱とM-I転移
• 表面・界面反応制御による高品質薄膜成長法の開発(超高速情報伝達デバイスの創製と応用,プロジェクト研究成果報告)
• MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• MBE法によるSrTiO_3/SrO/Si上へのBi_2Sr_2CuO_x薄膜の作製
• (Si_14/Ge_1)_20及び(Si_28/Ge_2)_10短周期超格子バッファー層を用いたSi_0.75Ge_0.25合金層のMBE成長
• XPSによるGaS,GaSe,InSeの化学シフトの研究
• 5a-TC-4 III-VI族層状半導体のXPS(III)
• III-VI族層状半導体のXPS(化学結合と電子構造,低次元性無機化合物の相転移と化学結合,科研費研究会報告)
• 14a-S-10 III-VI族層状半導体のXPS(II)
• 27p-K-8 III-VI族層状半導体のXPS
• 10p-S-9 アントラセン蒸着膜の低温光学特性
• (V_1-_XCr_X)_2O_3(x

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク