酸素ラジカルビームを用いたBi系超伝導薄膜のMBE成長
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概要
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分子線エピタキシー装置(MBE)を用いてBi-Sr-Ca-Cu-O薄膜の作製し、その結晶性を反射高速電子線回折(RHEED)、X線光電子分光(XPS)、X線回折(XRD)によって評価した。酸化源として、ラジカル酸素を使用し、分子線シャッター制御によって、MgO及びSrTiO_3基板上に、Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_x薄膜を作製した。XPSでは、組成比が良く制御されており、XRDでは、ほぼ単相の2212相ピークが確認された。この膜のRHEEDは、鋭いストリークを示し、原子スケールで、平坦な表面を持つ膜成長を示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-17
著者
-
龍山 智栄
富山大 工
-
西川 実
富山大学工学部電子工学専攻
-
丹保 豊和
富山大学工学部電気電子システム工学科
-
龍山 智栄
富山大学工学部
-
中村 巌
国際電気
-
小西 慎一郎
富山大学工学部電子工学専攻
-
上羽 弘
富山大学工学部電子情報工学科
-
上羽 弘
富山大工
-
上羽 弘
富山大
-
丹保 豊和
富山大学理工学研究科
-
丹保 豊和
富山大学工学部電子情報工学科
-
丹保 豊和
富山大学工学部
-
上羽 弘
富山大学工学部電子工学科
-
上羽 弘
富山大学工学部
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