GaAs(001)面上へのGaSe薄膜の成長
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概要
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層状物質であるIII-VI族化合物半導体GaSeをGaAs(001)上にエピタキシャル成長させ、その薄膜と界面状態を表面分析装置を用いて明らかにした。薄膜は基板温度(Ts)として室温、250℃、400℃を中心に作成した。その薄膜の結晶性は低速電子エネルギー損失分光法(LEELS)によって評価し、その結合状態はX線光電子分光法(XPS)、結晶構造はX線回折法(XRD)を用いて評価した。GaSeとGaAs(001)は表面の結晶構造が大きく異なっているにもかかわらず、基板温度が250℃において得られたGaSe薄膜は約30Å以上の膜厚で良好な結晶性が得られた。その試料を400℃でアニールすることにより、結晶性と表面状態の改善が見られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-16
著者
-
龍山 智栄
富山大 工
-
丹保 豊和
富山大学工学部電気電子システム工学科
-
龍山 智栄
富山大学工学部
-
上羽 弘
富山大学工学部電子情報工学科
-
上羽 弘
富山大工
-
上羽 弘
富山大
-
和泉 貴之
富山大学工学部電子情報工学科
-
藤田 健一
アドバンテスト
-
丹保 豊和
富山大学理工学研究科
-
丹保 豊和
富山大学工学部電子情報工学科
-
丹保 豊和
富山大学工学部
-
上羽 弘
富山大学工学部電子工学科
-
上羽 弘
富山大学工学部
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