(Si_14/Ge_1)_20及び(Si_28/Ge_2)_10短周期超格子バッファー層を用いたSi_0.75Ge_0.25合金層のMBE成長
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概要
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固体ソース分子線エピタキシー(MBE)により、Si(001)基板上にバッファー層として(Si_14/Ge_1)_20及び(Si_28/Ge_2)_10超格子を用いて、厚さ2000AのSi_0.75Ge_0.25合金層を成長させた。合金層は500℃で、バッファー層は300-450℃の異なる温度で成長させ、合金層に対するバッファー層の成長温度の効果を観察した。バッファー層中のGeの平均成分は1及び2原子層モードに対して、いずれも0.06である。300℃で成長させたGeが1原子層モードのバッファー層の場合、合金層の表面は平坦で、残留歪は-0.08%であった。2つの型のバッファー層を持つ試料の表面形態、残留歪、転位パターンを比較した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-06
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