AFMによるOMVPE成長GaInAs/InP共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面の観察
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概要
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超微細半導体ヘテロ構造による電子波デバイス実現のため、有機金属気相成長(OMVPE)InP(100)表面、GaInAs/InPヘテロ界面を分子間力顕微鏡(AFM)により観察した。成長前の熱処理を行うとInP表面の平坦性が改善され、フォスフィン雰囲気で600℃での熱処理により数百nmにわたる広い1原子層ステップのテラスを形成できることがわかった。選択性ウエット化学エッチングによりGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード(RTD)のヘテロ界面をAFM観測し、GaInAsからInPへの成長界面凹凸は0.37nm、InPからGaInAs量子井戸層への成長界面では0.30nmであり、前者の界面にのみバンチング形状を観測した。また、RTDの電流電圧特性の実測値と共鳴特性の理論解析から界面凹凸を見積り、AFMでの測定結果とほぼ一致する結果を得た。
- 1995-04-21
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
須原 理彦
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
長尾 宙馬
東京工業大学工学部電気・電子工学科
-
薗田 大資
東京工業大学工学部電気・電子工学科
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