Gated Resonant Tunneling Structures with Buried Tungsten Grating Adjacent to Semiconductor Heterostructures
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概要
- 論文の詳細を見る
- 1998-09-07
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
Seifert W
Lund Univ. Lund Swe
-
Gustafson Boel
Department Of Solid State Physics University Of Lund
-
Furuya Keiichi
Department Of Industiral Chemistry Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
-
Wernersson L‐e
Solid State Physics/nanometer Structure Consortium Lund University
-
FURUYA Kazuhito
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
SUHARA Michihiko
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
WERNERSSON Lars-Erik
Department of Solid State Physics, University of Lund
-
CARLSSON Niclas
Department of Solid State Physics, University of Lund
-
SEIFERT Werner
Department of Solid State Physics, University of Lund
-
SAMUELSON Lars
Department of Solid State Physics, University of Lund
-
Carlsson Niclas
Department Of Solid State Physics University Of Lund
-
Seifert Werner
Department Of Solid State Physics University Of Lund
-
Suhara M
Tokyo Metropolitan Univ. Tokyo Jpn
-
Samuelson L
Lund Univ. Lund Swe
-
Samuelson Lars
ルンド大学固体物理学科
-
Seifert W
Univ. Lund
-
Furuya K
Department Of Physical Electronics Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Institute Of Tec
-
Furuya Kazuhito
Department Of Electrical And Electronic Engineering
-
Seifert W
ルンド大学固体物理学科
-
Wernersson Lars-erik
Department Of Electrical And Information Technology Lund University
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