MOVPEによるInP中のSiO_2細線埋め込み成長とそのHBTコレクタ容量低減への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-02
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
古屋 一仁
東工大工
-
三浦 司
東京工業大学大学院理工学研究科
-
石田 昌司
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
山本 徹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
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