三浦 司 | 東京工業大学大学院理工学研究科
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概要
関連著者
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古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
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宮本 恭幸
東京工業大学
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古屋 一仁
東京工業大学
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古屋 一仁
東工大工
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三浦 司
東京工業大学大学院理工学研究科
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山下 浩明
東京工業大学大学院理工学研究科
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高橋 新之助
東京工業大学大学院理工学研究科
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石田 昌司
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
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山本 徹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
著作論文
- コレクタ層内にSiO_2細線を埋め込んだHBTのDC特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- MOVPEによるInP中のSiO_2細線埋め込み成長とそのHBTコレクタ容量低減への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)