山下 浩明 | 東京工業大学大学院理工学研究科

スポンサーリンク

概要

• 山下 浩明の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 東京工業大学大学院理工学研究科の論文著者

関連著者

• 古屋 一仁

  東京工業大学院理工学研究科

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東工大工

• 山下 浩明

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 高橋 新之助

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 齋藤 尚史

  東京工業大学

• 武部 直明

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 小林 嵩

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 三浦 司

  東京工業大学大学院理工学研究科

• Saito Hisashi

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan

もっと見る 閉じる

著作論文

• SiO_2細線埋込InP系HBTにおけるCBr_4を使ったin-situエッチング(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• コレクタ層内にSiO_2細線を埋め込んだHBTのDC特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

スポンサーリンク