古屋 一仁 | 東工大工

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概要

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関連著者

• 古屋 一仁

  東京工業大学院理工学研究科

• 古屋 一仁

  東工大工

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 古屋 一仁

  東京工業大学

• 齋藤 尚史

  東京工業大学

• Saito Hisashi

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan

• 上澤 岳史

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 金澤 徹

  東京工業大学

• 山田 真之

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 諏訪 輝

  東工大

• 五十嵐 満彦

  東工大

• 諏訪 輝

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 若林 和也

  東京工業大学

• 寺尾 良輔

  東京工業大学

• 田島 智宣

  東京工業大学

• 池田 俊介

  東京工業大学

• 山田 朋宏

  東工大

• 寺尾 良輔

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 池田 俊介

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 池田 俊介

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 山下 浩明

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 高橋 新之助

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 長谷川 貴史

  東工大

• 町田 信也

  東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興機構crest

• 鹿嶋 一生

  株式会社ルネサステクノロジ

• 日野 高宏

  東工大

• 古屋 一仁

  東工大・JST-CREST

• 三浦 司

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 日野 高宏

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 五十嵐 満彦

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 山田 朋宏

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 鹿嶋 一生

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 大野 真也

  東工大

• 武部 直明

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 小林 嵩

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 齋藤 尚史

  東工大

• 宮本 恭幸

  東工大

• 宮本 恭幸

  東工大・JST-CREST

• 上澤 岳史

  東工大

• 長谷川 貴史

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 石田 昌司

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 山本 徹

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

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著作論文

• III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET
• SiO_2細線埋込InP系HBTにおけるCBr_4を使ったin-situエッチング(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製
• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• InP系バリスティックトランジスタ(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• InP系バリスティックトランジスタ(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの走行層幅微細化
• W. T. Tsang 編: Semiconductors and Semimetals, Vol. 22; Lightwave Communication Technology, Pts. A〜E, Academic Press, Orlando and London, 1985, 5冊, 24×16cm.
• モンテカルロ計算によるゲート制御ホットエレクトロントランジスタの遮断周波数解析
• コレクタ層内にSiO_2細線を埋め込んだHBTのDC特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• 絶縁ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• MOVPEによるInP中のSiO_2細線埋め込み成長とそのHBTコレクタ容量低減への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタにおける電流量の増大(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

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