町田 信也 | 東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興機構crest
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概要
関連著者
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町田 信也
東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興機構crest
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古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
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古屋 一仁
東京工業大学
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MACHIDA Nobuya
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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FURUYA Kazuhito
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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Machida Nobuya
Department Of Chemistry Konan University
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Furuya Kazuhito
Department Of Electrical And Electronic Engineering
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Furuya Keiichi
Department Of Industiral Chemistry Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
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Furuya K
Department Of Physical Electronics Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Institute Of Tec
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宮本 恭幸
東京工業大学
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Nagase M
Ntt Basic Research Laboratories Ntt Corporation
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Nagase Masanori
Department Of Physical Electronics Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Institute Of Tec
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Machida N
Konan Univ. Kobe
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古屋 一仁
東工大工
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FURUYA Kazuhito
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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Wernersson L‐e
Solid State Physics/nanometer Structure Consortium Lund University
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MIYAMOTO Yasuyuki
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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五十嵐 満彦
東工大
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山田 朋宏
東工大
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五十嵐 満彦
東京工業大学大学院理工学研究科
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山田 朋宏
東京工業大学大学院理工学研究科
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ガルト マイク
東京エ業大学工学部
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MACHIDA Nobuya
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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狩野 裕之
東京工業大学大学院理工学研究科
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深澤 優壽
東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻
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前 堅一
東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻
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平田 朋彦
東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻
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宮本 大悟
東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻
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前 堅一
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
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深澤 優壽
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
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Machida Nobuya
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology:crest Japan Science And Technology
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平田 朋彦
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
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宮本 大悟
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
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Furuya Kazuhito
Tokyo Institute Of Technology
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Miyamoto Yasuyuki
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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Maeda Hiroshi
Department of Urology, Shinko Clinic
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MIYAMOTO Yasuyuki
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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ISHIDA Masashi
Department of Orthopaedics, Graduate School of Medical Science, Kyoto Prefectural University of Medi
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YAMAMOTO Ren
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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TAKEUCHI Katsuhiko
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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WERNERSSON Lars-Erik
Solid State Physics/Nanometer Structure Consortium, Lund University
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SAMUELSON Lars
Department of Solid State Physics, University of Lund
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HANSSON Bjorn
Nanometer Structure Consortium, Lund University
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WERNERSSON Lars-Erik
Nanometer Structure Consortium, Lund University
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Nakagawa Ryo
Department of Biotechnology, Graduate School of Engineering, Nagoya University
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永瀬 成範
東京工業大学工学部電子物理工学科
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Hansson Bjorn
Nanometer Structure Consortium Lund University
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KASHIMA Issei
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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NINOMIYA Yasunori
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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KANOH Hiroyuki
Graduate School of Science and Engineering Tokyo Institute of Technology
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NAGATSUKA Hiroyuki
Department of Physical Electronics, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of T
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町田 信也
東京エ業大学工学部
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古屋 一仁
東京エ業大学工学部
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ガルト マイク
東京工業大学工学部
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Kashima Issei
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
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Nagatsuka Hiroyuki
Department Of Physical Electronics Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Institute Of Tec
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Samuelson L
Lund Univ. Lund Swe
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Nakagawa Ryo
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
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Nakagawa Ryo
Department Of Biotechnology Graduate School Of Engineering Nagoya University
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Ishida Masashi
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
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Ishida Masashi
Department Of Chemistry Nagoya University
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Samuelson Lars
ルンド大学固体物理学科
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Machida Nobuya
Department Of Solid State Physics
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Miyamoto Yasuyuki
Department Of Electrical And Electronic Engineering Tokyo Institute Of Technology
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Ninomiya Yasunori
Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Miyamoto Yasuyuki
Department Of Electrical And Electronic Engineering
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Furuya Kazuhito
Graduate School of Science and Engineering Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
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Miyamoto Yasuyuki
Tokyo Institute of Technology
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Machida Nobuya
Graduate School of Science and Engineering Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
著作論文
- InP Hot Electron Transistors with a Buried Metal Gate
- Proposal for a Solid State Biprism Device
- ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- Current Gain and Voltage Gain in Hot Electron Transistors without Base Layer(THz Devices,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- Charging Time of Double-Layer Emitter in Heterojunction Bipolar Transistor Based on Transmission Formalism
- Double-Slit Interference Observation of Hot Electrons in Semiconductors : Analysis of Experimental Data
- Numerical Foundation of Hot-Electron Diffraction Experiment Based on Ballistic Electron Emission Microscope
- 弾道電子放出顕微鏡によるホットエレクトロン回折実験の数値解析 : 量子相反性成立の起源(量子効果デバイス及び関連技術)
- 弾道電子放出顕微鏡によるホットエレクトロン回折実験の数値解析 : 量子相反性成立の起源(量子効果デバイス及び関連技術)
- Phase Coherence and Temperature Dependence of Current-Voltage Characteristics at Low-Current and Low-Voltage Region of Double-Barrier Resonant-Tunneling Diode
- BEEMを用いた電子波回折観測法の提案
- BEEMを用いた電子波回折観測法の提案
- C-10-1 走査探針による新しい固体電子干渉検出実験
- Phase-Breaking Effect Appearing in the Current-Voltage Characteristics of Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes - Theoretical Fitting Over Four Orders of Magnitude -
- C-10-14 半導体ヘテロ構造による電子波面広がり制御の可能性
- Phase Breaking Effect Appearing in I-V Characteristics of Double-Barrier Resonant-Tunneling Diodes : Theoretical Fitting Over Four Orders of Magnitude
- ED2000-108 二重障壁共鳴トンネルダイオードを用いた位相コヒーレンス長の評価
- 電子波干渉観測のための固体バイプリズム設計
- 電子波干渉観測のための固体バイプリズム設計
- RTDの共鳴幅評価に及ぼす井戸内不純物イオンの影響解析
- 共鳴トンネルダイオードにおける不純物準位介在トンネルの理論解析
- RTD端子電圧と共鳴準位シフトの間の変換係数