X線光電子分光法によるGaAs表面の評価
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概要
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X-ray photoelectron spectroscopy has been used to study GaAs surfaces which recieved treatments in solution with a composition of H_2O : HF(50%)=10 : 1 and NH_4 OH (28%) solution. Ga_2O_3 is almost removed by the above treatments which covers GaAs surfaces without treatments. As_2O_3 is dominant on GaAs surfaces without treatments. Elemental As and As-Ga bonding are dominant after HF and NH_4OH treatments, respectively, which indicates the different etching mechanism between them. The depth profiles accomplished by Ar ion sputtering are also shown.
- 愛知工業大学の論文
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