伊藤 慶文 | (財)若狭湾エネルギー研究センター

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概要

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関連著者

• 伊藤 慶文

  (財)若狭湾エネルギー研究センター

• 伊藤 慶文

  若狭湾エネルギー研究センター

• 小林 隆弘

  福井大学工学部

• 橋本 明弘

  福井大学工学部

• 山本 皓勇

  福井大学工学部

• 橋本 明弘

  福井大学大学院工学研究科

• 石神 龍哉

  (財)若狭湾エネルギー研究センター

• 澤崎 尚樹

  福井大学工学部

• 趙 明秀

  福井大学工学部

• 山本 嵩勇

  福井大学工学部

• 石神 龍哉

  若狭湾エネルギー研究センター

• 山本 高勇

  福井大学工学部

• 大橋 健

  信越化学

• 大橋 健

  信越化学工業株式会社

• 田中 慎太郎

  信越化学工業株式会社

• 安田 啓介

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• 大橋 健

  信越化学・磁性材料研究所

• 田中 慎太郎

  信越化学・磁性材料研究所

• 山本 〓勇

  福井大学大学院工学研究科

• 高木 誠

  愛知工業大学工学部機械学科

• 高木 誠

  愛知工大

• 徳田 豊

  愛知工学部工学部電子工学科

• 安田 啓介

  若狭湾エネルギー研究センター

• 岩田 博之

  愛知工学部工学部電子工学科

• 清水 孝延

  愛知工学部工学部電子工学科

• 横井 久人

  愛知工学部工学部電子工学科

• 高木 誠

  愛知工業大学

• 岩田 博之

  愛工大

• 大橋 健

  信越化学工業(株)

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著作論文

• RBS/Cを用いた水素イオン注入欠陥の評価
• 20pTD-4 イオンビーム照射による希土類永久磁石の照射損傷
• 3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 : 基板表面の窒化処理効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
• 3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長(薄膜プロセス・材料, 一般)

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