山本 高勇 | 福井大学工学部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
山本 高勇
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学大学院工学研究科
-
山本 嵩勇
福井大学工学部
-
山本 皓勇
福井大学工学部
-
山本 〓勇
福井大学大学院工学研究科
-
三輪 浩士
福井大学工学部
-
永井 泰彦
福井大学工学部
-
永井 泰彦
福井大学大学院工学研究科
-
小林 隆弘
福井大学工学部
-
丹羽 弘和
福井大学工学部
-
伊藤 慶文
(財)若狭湾エネルギー研究センター
-
澤崎 尚樹
福井大学工学部
-
趙 明秀
福井大学工学部
-
伊藤 慶文
若狭湾エネルギー研究センター
-
橋本 明弘
福井大工
-
宮西 正芳
福井大学工学部
-
高橋 尚也
福井工業高等専門学校
-
高山 勝己
福井工業高等専門学校
-
南保 幸男
日華化学(株)
-
王 文軍
福井大学VBL
-
望月 孝則
福井大学
-
胡桃 洋一
福井大学
-
山本 高勇
福井大学
-
大久保 貢
福井大学工学部
著作論文
- ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN_O_x薄膜によるH_2Sの光触媒分解効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 : 基板表面の窒化処理効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長(薄膜プロセス・材料, 一般)
- MOVPE法によるバルクGaN基板上へのInN薄膜成長と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
- MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
- CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 強制振動子法によるポ-ラスSiの格子振動の解析
- CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ジメチルヒドラジン(DMHy)を用いたGaAs基板の窒化処理
- 極化成法を用いたill-V族化合物半導体子細線構造の作製とその評価