MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
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概要
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常圧MOVPE成長InN膜におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果を検討した。エッチング時間の増加に伴ない、GaN結晶粒の数が減少し、その結果InN結晶粒の大きさが増大した。GaNバッファ層に10分間エッチングを施したとき、InN結晶粒の大きさはバッファ層を用いず成長させたInN結晶粒に比べ大きくなった。エッチング時間が5分以下のとき、InN結晶粒1つが平均して10個のGaNバッファの結晶粒から成長した。エッチング時間が8〜10分のとき、InN結晶粒1つがGaN結晶粒1つから成長した。またサファイア基板上のIn原子やN原子などの拡散長は1μm以上あるとわかった。InNの結晶成長が促進したにもかかわらず、電気的特性はエッチングを施さなかったInN膜と同程度であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-05
著者
-
橋本 明弘
福井大学工学部
-
山本 皓勇
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学大学院工学研究科
-
山本 〓勇
福井大学大学院工学研究科
-
山本 嵩勇
福井大学工学部
-
三輪 浩士
福井大学工学部
-
永井 泰彦
福井大学工学部
-
永井 泰彦
福井大学大学院工学研究科
-
山本 高勇
福井大学工学部
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