Siおよびα-Al_2O_3基板上へのInNのMOCVD成長
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概要
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InNのデバイス応用に不可欠なInNのヘテロエピタキシャル成長技術の確立をねらいとして,Siおよびα-Al_2O_3基板上へのInNのMOCVD成長を検討した.その結果,InN成長膜の品質に対して原料であるNH_3による基板表面の窒化が重要な影響を与えることが明かとなった.すなわちSi基板の場合,比較的低温(〜500℃)で基板表面に非晶質状のSiN_xが形成され,これがInNのエピタキシャル成長の阻害要因となる.なお,Si基板表面の窒化は成長雰囲気にH_2を添加することによりかなり抑制される.一方,α-Al_2O_3基板の場合は,800℃以上で基板の窒化によりAlNが形成され,基板表面(AlN)とInNとの格子不合整合率が大幅に減少するため,InN成長膜の結晶性の著しい向上が図られる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-16
著者
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