永井 泰彦 | 福井大学大学院工学研究科

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概要

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• 橋本 明弘

  福井大学工学部

• 橋本 明弘

  福井大学大学院工学研究科

• 山本 〓勇

  福井大学大学院工学研究科

• 永井 泰彦

  福井大学大学院工学研究科

• 山本 皓勇

  福井大学工学部

• 山本 嵩勇

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• 三輪 浩士

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• 永井 泰彦

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• 山本 高勇

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• 丹羽 弘和

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• 宝珍 禎則

  福井大学大学院工学研究科

• 王 文軍

  福井大学VBL

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著作論文

• MOVPE法によるバルクGaN基板上へのInN薄膜成長と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
• MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
• CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• MOVPE成長InNのtilt、twist角分布の成長条件依存性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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