山本 嵩勇 | 福井大学工学部

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概要

• 同名の論文著者
• 福井大学工学部の論文著者

関連著者

• 橋本 明弘

  福井大学工学部

• 山本 嵩勇

  福井大学工学部

• 山本 高勇

  福井大学工学部

• 山本 皓勇

  福井大学工学部

• 橋本 明弘

  福井大学大学院工学研究科

• 山本 〓勇

  福井大学大学院工学研究科

• 三輪 浩士

  福井大学工学部

• 永井 泰彦

  福井大学工学部

• 永井 泰彦

  福井大学大学院工学研究科

• 小林 隆弘

  福井大学工学部

• 丹羽 弘和

  福井大学工学部

• 伊藤 慶文

  (財)若狭湾エネルギー研究センター

• 澤崎 尚樹

  福井大学工学部

• 趙 明秀

  福井大学工学部

• 伊藤 慶文

  若狭湾エネルギー研究センター

• 橋本 明弘

  福井大工

• 宮西 正芳

  福井大学工学部

• 高橋 尚也

  福井工業高等専門学校

• 高山 勝己

  福井工業高等専門学校

• 南保 幸男

  日華化学(株)

• 王 文軍

  福井大学VBL

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著作論文

• ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN_O_x薄膜によるH_2Sの光触媒分解効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
• 3c-SiC/Si基板上へのGaN膜のMOVPE成長 : 基板表面の窒化処理効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
• 3c-SiC/Si(111)構造基板上への高品質InN膜のMOVPE成長(薄膜プロセス・材料, 一般)
• Si(111)へのC^+イオン注入によるc-SiC/Si構造基板上へのGaN、InNのヘテロエピ成長(薄膜プロセス・材料,一般)
• MOVPE法によるバルクGaN基板上へのInN薄膜成長と評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
• MOVPE法によるサファイア基板上InN成長におけるGaNバッファ層のKOHエッチング効果(薄膜プロセス・材料, 一般)
• CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 強制振動子法によるポ-ラスSiの格子振動の解析
• CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• CP_2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH_3/TMI供給モル比依存性(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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