山下 善文 | 岡山大工
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概要
関連著者
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山下 善文
岡山大工
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上浦 洋一
岡山大院・産業創成工学
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岡山大工
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山下 善文
岡山大院・産業創成工学
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前田 康二
東大・工
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山下 善文
東大・工
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目良 裕
東大・工
-
橋本 文雄
岡山大工
-
石山 武
岡山大院・産業創成工学
-
石山 武
岡山大工
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福田 和久
岡山大工
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白木 靖寛
東大・先端研
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前田 康二
東大工
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前田 康二
東京大学工学系研究科
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深津 晋
東大・先端研
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深津 晋
東大・教養
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宮迫 毅明
岡山大工
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杉田 敏
東大・工
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魚田 雅彦
東大・工
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山下 善文
東京大学工学部
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石賀 展昭
岡山大工
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松田 能道
岡山大工
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林 真佐雄
岡山大工
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魚田 雅彦
東大工:(現)kek
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目良 裕
東大工
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矢口 裕之
東大・先端研
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日亜化学工業
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中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
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中村 修二
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部
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鈴木 邦夫
東大生研
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藤田 研
東大・先端研
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宇佐美 徳隆
東大・先端研
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鈴木 邦夫
東大・物性研
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前田 康二
東工大
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宇佐美 徳隆
東北大金研
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日丸 雅彦
東大物性研
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白木 靖寛
都市大総研
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上浦 洋一
岡山大・工
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東大・工
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東大工
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山下 善文
岡山大・工
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米山 修蔵
岡山大工
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岩上 泰之
岡山大・工
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塩谷 俊行
岡山大工
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岩上 泰之
岡山大工
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福島 篤史
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山本 育尚
岡山大工
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福永 拓也
岡山大工
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JYOBE F.
岡山大・工
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松永 啓一
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日亜化学工業(株)開発部
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兵藤 申一
東工大
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池松 淳
岡山大工
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山下 善文
東工大
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影島 賢巳
東工大
著作論文
- 28p-K-10 ヘテロエピタキシャル薄膜中の転位の運動速度
- 25p-H-8 ヘテロエピタキシャル薄膜中の転移運動に対する膜厚効果
- 25a-T-9 GaN中のMg-H複合欠陥の分解に対する電子励起効果
- 27aYM-5 応力によるSi中Erの発光の増大(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 21pXA-11 p 型 Si 基板上 SiGe 膜の電気的特性に対する水素処理の影響
- 31pYG-8 p 型 Si 基板及び SiGe エピ膜中の B の挙動に対する水素の効果
- 30pYG-6 水素による半導体中の転位運動促進効果とその機構
- 17pTG-7 シリコン中の白金-水素関連欠陥の構造と電子準位
- 29pYC-11 水素によるGe中の転位運動促進効果
- 29pYC-10 水素によるSi中Pイオン注入欠陥の回復促進効果
- 24aY-2 Si中のH-C複合欠陥の電子準位に対する一輪性応力効果
- 31a-ZA-8 Si中のH-C複合欠陥における水素の内部運動(II)
- 25a-T-10 Si中のH-C複合欠陥における水素の内部運動
- 27a-T-2 SiGeエピ膜中の転位運動に対する水素の影響
- 1p-T-6 半導体中の転位運動に及ぼす水素の効果
- 28p-P-10 半導体ヘテロエピタキシャル膜中の転位運動に対する電子励起効果
- 28a-P-8 STMトンネル電流雑音強度の試料面内分布
- 14p-DH-4 STMトンネル電流の1/fゆらぎの物理的起源
- 30a-D-5 半導体ヘトロエピ膜中の転位運動に対する線張力効果
- 28p-ZM-5 半導体エピタキシャル薄膜中の転位の運動
- 27p-ZN-9 Si_Ge_X/Si(100)中の転位運動速度の転位長依存性
- 剛性率変調多層膜による転位フィルタ-効果 (金属人工格子の構造,物性とその応用)
- 2a-Z-8 ヘテロエピタキシャル膜中の転位の運動
- 30a-F-5 キング運動に及ぼす電子線照射効果
- 4p-ZA-4 共有結合結晶の中の転位運動の基本は何か
- 31a-E-12 Si中の水素-炭素複合体 II : 一軸性応力効果
- 31a-E-11 Si中の水素-炭素複合体 I : 安定性
- 29a-E-5 シリコン中の転位運動に及ぼす水素プラズマ照射効果
- 3p-M-6 Si中のH-C複合体の荷電状態誘起反応
- 27p-N-8 Si中の水素-炭素複合体の安定性と分解機構
- 4a-YG-9 CZ・Si中のニュードナー消滅と酸素の析出
- 4a-YG-5 Si中H-C複合体の光誘起分解機構-II
- 8p-S-2 Si中のサーマルドナーの消滅過程
- 25a-T-8 Si中のサーマルドナーの非熱的消滅
- 1p-M2-9 間欠応力負荷法による転位運動素過程の研究(格子欠陥)