4p-ZA-4 共有結合結晶の中の転位運動の基本は何か

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1989-09-12

著者

• 前田 康二

  東京大学工学系研究科

• 山下 善文

  岡山大工

• 山下 善文

  東京大学工学部

関連論文

• 28p-K-10 ヘテロエピタキシャル薄膜中の転位の運動速度
• III. 半導体, セラミックスの欠陥構造 半導体中の転位運動素過程の原子レベル直接観察
• 25p-H-8 ヘテロエピタキシャル薄膜中の転移運動に対する膜厚効果
• 22pHT-1 はじめに(22pHT 領域10シンポジウム:グリーンテクノロジーにおける格子欠陥・ナノ構造の役割,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 17aTJ-5 C_クラスタ重合のSTM直接観察
• 1aSB-6 高分解能標識光子実験装置の開発研究
• STMを用いた機能材料のナノ分光解析(表示記録用有機材料およびデバイス)
• STMを用いた機能材料のナノ分光解析(表示記録用有機材料及びデバイス)
• STMを用いた機能材料のナノ分光解析(表示記録用有機材料及びデバイス)
• 25a-T-9 GaN中のMg-H複合欠陥の分解に対する電子励起効果
• 27aYM-5 応力によるSi中Erの発光の増大(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 21pXA-11 p 型 Si 基板上 SiGe 膜の電気的特性に対する水素処理の影響
• 31pYG-8 p 型 Si 基板及び SiGe エピ膜中の B の挙動に対する水素の効果
• 30pYG-6 水素による半導体中の転位運動促進効果とその機構
• 17pTG-7 シリコン中の白金-水素関連欠陥の構造と電子準位
• 29pYC-11 水素によるGe中の転位運動促進効果
• 29pYC-10 水素によるSi中Pイオン注入欠陥の回復促進効果
• 24aY-2 Si中のH-C複合欠陥の電子準位に対する一輪性応力効果
• 31a-ZA-8 Si中のH-C複合欠陥における水素の内部運動(II)
• 25a-T-10 Si中のH-C複合欠陥における水素の内部運動
• 27a-T-2 SiGeエピ膜中の転位運動に対する水素の影響
• 1p-T-6 半導体中の転位運動に及ぼす水素の効果
• 28p-P-10 半導体ヘテロエピタキシャル膜中の転位運動に対する電子励起効果
• 28a-P-8 STMトンネル電流雑音強度の試料面内分布
• 14p-DH-4 STMトンネル電流の1/fゆらぎの物理的起源
• 30a-D-5 半導体ヘトロエピ膜中の転位運動に対する線張力効果
• 28p-ZM-5 半導体エピタキシャル薄膜中の転位の運動
• 27p-ZN-9 Si_Ge_X/Si(100)中の転位運動速度の転位長依存性
• 剛性率変調多層膜による転位フィルタ-効果 (金属人工格子の構造,物性とその応用)
• 2a-Z-8 ヘテロエピタキシャル膜中の転位の運動
• 30a-F-5 キング運動に及ぼす電子線照射効果
• 4p-ZA-4 共有結合結晶の中の転位運動の基本は何か
• 31a-E-12 Si中の水素-炭素複合体 II : 一軸性応力効果
• 31a-E-11 Si中の水素-炭素複合体 I : 安定性
• 29a-E-5 シリコン中の転位運動に及ぼす水素プラズマ照射効果
• 3p-M-6 Si中のH-C複合体の荷電状態誘起反応
• 27p-N-8 Si中の水素-炭素複合体の安定性と分解機構
• 4a-YG-9 CZ・Si中のニュードナー消滅と酸素の析出
• 4a-YG-5 Si中H-C複合体の光誘起分解機構-II
• 8p-S-2 Si中のサーマルドナーの消滅過程
• 25a-T-8 Si中のサーマルドナーの非熱的消滅
• 電子励起によって誘起される単層カーボンナノチューブの欠陥生成
• 1p-M2-9 間欠応力負荷法による転位運動素過程の研究(格子欠陥)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク