28pXD-3 SiGe膜中への水素侵入に対する格子歪の影響(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
-
上浦 洋一
岡山大院・産業創成工学
-
石山 武
岡山大院・産業創成工学
-
坂本 佳史
岡山大院自然
-
山下 善文
岡山大院自然
-
石山 武
岡山大院自然
-
上浦 洋一
岡山大院自然
-
山下 善文
岡山大院・産業創成工学
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