9a-C-11 αウラン中の過剰なKr,Xeの転位への優先析出
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1961-10-09
著者
関連論文
- 5a-NJ-3 700℃から急冷したGe中の新しいエネルギー準位をもつ欠陥
- 4a-L-2 急冷したGe中の浅いアクセプタII-不純物効果
- Al-Zn-(Mg_2Si)合金中のG.P.zoneと焼入空孔の相互作用 : 格子欠陥
- 12p-DK-8 CZSiの酸素析出に及ぼす前熱処理の効果
- 27p-K-2 急冷したGe中の深いアクセプタ型欠陥
- 12p-DK-9 Si中のサーマル・ドナーの形成・消滅に対する炭素の効果
- 5p-M-10 焼入れたn型Ge中の500℃以上で回復する欠陥II-回復過程
- Al合金中のBe,TiとVacancyの相互作用 : 格子欠陥
- Al合金中のVと不純物原子の相互作用 : 格子欠陥
- 10a-M-11 Al中のAg原子とVacancyの相互作用
- 9a-C-11 αウラン中の過剰なKr,Xeの転位への優先析出
- 30p-ZN-9 シリコン中の水素の低温拡散
- 28a-D-13 Si中の水素-炭素複合体の再結合促進分解反応
- 29p-K-13 シリコン中の水素-炭素複合体の形成過程
- 24a-T-7 Si中の水素に関係した欠陥の光照射下での消滅過程
- 2p-Z-13 化学エッチングによりn型Si中に導入される欠陥
- 2p-F-2 Si中の欠陥の光照射促進反応
- 3p-Q-9 n型Si中の欠陥のアニールに対する光照射効果
- 5p-A3-10 急冷したp型Si中のDeep-Levelのアニール挙動
- 12p-DK-11 p型Si中の水素-炭素複合欠陥の性質
- 27p-H-1 シリコン中の水素の荷電状態
- 29p-K-5 応力印加DLTS法によるCZシリコン中のサーマル・ドナーの研究
- 3a-M-4 急冷したGe中の深いアクセプタ(III)-消滅過程
- 14a-L-5 急冷したGe中の深いアクセプタ
- 14a-L-4 急冷したGe中の浅いアクセプタの回復のモデル
- 24a-T-3 CZシリコン中のNew Donorの形成・消滅過程
- 2p-F-11 CZシリコン中のNew Donor形成に対する炭素の効果
- 3p-Q-8 CZシリコン中のnew donorのoriginについて
- 3p-Q-7 CZシリコン中のthermal donor形成に対する炭素の効果
- 5p-A3-9 急冷したn型Si中のDeep-Levelのアニール挙動
- 29a-RC-7 急冷したGe中の深いアクセプタのannealing kinetics
- 29a-RC-5 急冷しにSi中のドナー型欠陥の回復
- 29a-RC-1 Si中の酸素ドナーの初期形成過程
- 3a-M-6 Si中の急冷欠陥の回復(III)
- 3a-M-5 Si中の酸素ドナー(II)-熱処理温度効果
- 30p-J-2 急冷したGe中の浅いアクセプタ
- 4a-AE-13 急冷したGeの回復過程(Stage III)の焼入温度依存性
- 2p-NJ-9 急冷したGeのPhoto-Thermal Ionization Spectroscopy (PTIS)
- 1a-G-10 急冷したP型Siの回復
- 30p-J-3 急冷したGeの新しい回復ステージ II
- 31p GJ-1 急冷したGeの新しい回復ステージ
- 31p-BB-16 急冷によりn型Ge中に導入された欠陥 II-annealing behaviour
- 31p-BB-15 急冷によりn型Ge中に導入された欠陥 I-energy level
- 5p-M-9 焼入れたn型Ge中の500℃以上で回復する欠陥I-エネルギー準位
- 1p-M2-4 CZシリコン中の新しい酸素ドナー(格子欠陥)
- 3a-A3-8 Si中の急冷欠陥の回復(II)(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)