28pXD-4 Si中過飽和高温置換Au回復過程でのAu集合体のSIMS観測(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 師岡 正美

  福岡工大工

• 師岡 正美

  福岡工業大学電気工学科

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