Mechanism of Formation of Plateau, Rapid Fall and Tail in Phosphorus Diffusion Profile in Silicon Based on Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
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概要
著者
-
田中 秀司
福岡工業大学
-
師岡 正美
福岡工業大学工学部電気工学科
-
高橋 学
福岡工業大学電子情報工学科
-
田中 秀司
福岡工業大学電子情報工学科
-
高橋 定
九州計測器株式会社
-
吉田 正幸
吉田半導体研究所
-
高橋 学
福岡工業大学
-
吉田 正幸
Yoshida Semiconductor Laboratory
-
師岡 正美
福岡工大工
-
師岡 正美
福岡工業大学電気工学科
-
師岡 正美
福岡工業大学
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