n形シリコン中鉄関連欠陥の拡散と電気的性質(半導体材料・デバイス)
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概要
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DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)とホール効果により, 鉄をドープしたn形シリコンの電気的性質を調べた. その結果, いくつかの電気的に活性な鉄に関連した欠陥が観測された. 等温アニール及び導入過程における鉄関連欠陥の濃度の時間変化から, 電気的に活性な鉄関連欠陥は, 格子間形鉄原子を含む欠陥の複合体であることが推定される. この複合体は, シリコン中で鉄原子が析出する過程の中間体であると考えられる. 析出過程の逐次反応のモデルを提案した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-08-01
著者
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