C-11-3 n形無転位シリコン中ニッケルアクセプター中心の拡散分布(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-30
著者
関連論文
- C-10-15 ニッケルをドープしたシリコンの深い不純物の統計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 個体拡散材 - BNウエハーを用いたシリコンへのホウ素拡散における窒素ガス流中の酸素の影響
- 福岡工業大学電子情報工学科におけるLEGOロボット制御演習
- 極微粒ダイヤモンド砥粒を用いた多層電着工具の開発
- C-10-7 n形シリコン中への置換位置ニッケル原子の解離拡散機構(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-8 無転位n形シリコン中ニッケルの析出過程(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-11-3 n形シリコン中鉄関連欠陥形成の再現性(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- n形無転位シリコン中ニッケルアクセプター中心の拡散分布
- C-11-1 n形シリコン中鉄関連欠陥の正孔注入による増速拡散(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
- n形シリコン中鉄関連欠陥の拡散と電気的性質(半導体材料・デバイス)
- n形シリコン中鉄関連欠陥の拡散機構
- 無転位シリコンの化学エッチング
- 無転位シリコン中ニッケルの位置交換におよぼすニッケル析出物の影響
- シリコンp+/nエピタキシャルダイオードへの正孔注入にするn形シリコン中鉄関連欠陥の再結合増速解離
- 無転位シリコンバルク中ニッケルの析出と空格子点の生成消滅源
- FZおよびCZ成長n形シリコンにおける鉄関連欠陥の導入特性
- FZおよびCZ成長n形シリコンにおける鉄関連欠陥の導入特性
- n形シリコン中鉄関連ドナー準位のPoole-Frenkel効果
- n形シリコン中鉄関連欠陥の導入と回復
- 等温アニールによるn型シリコン中鉄欠陥準位の挙動
- ホ-ル効果とDLTS測定によるn形シリコン中鉄関連準位の研究
- Mechanism of Formation of Plateau, Rapid Fall and Tail in Phosphorus Diffusion Profile in Silicon Based on Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- Fraction of Interstitialcy Component of Phosphorus Diffusion in Silicon in Intrinsic State
- 極微粒ダイヤモンド砥粒を用いた高速電鋳工具製造法の開発
- Uncorrelated Silicon Self-Diffusion Coefficient via Vacancy Mechanism Obtained by Dissociative Diffusion of nickel
- C-11-3 n形無転位シリコン中ニッケルアクセプター中心の拡散分布(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)