n形シリコン中鉄関連欠陥の導入と回復
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概要
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我々はDLTSとホール効果の温度依存性の測定よりn形シリコン中鉄の電気的性賃を研究してきた。その結果、鉄はn形シリコン中で一部イオン化し、1種類のドナー(C準位)と3種類のアクセプター(A,B,X準位)を作ることをこれまでに報告してきた。しかし、いまのところ複合体より構成していると考えているが構造はまだ特定できていない。本報告ではこれらの研究の一環としてn形シリコン中鉄関連欠陥の導入過程とこれらの欠陥の系統的な等温熱処理による回復過程よりこれらの準位を形成している鉄関連欠陥の成因について検討を行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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