27a-N-8 対拡散モデルに基づくSi中のP異常拡散
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-09-12
著者
関連論文
- 30a-T-4 Ge中のCuの導入及び回復(II)
- 30a-T-3 Kick-Out拡散の基本方程式の数値解
- 2p-NJ-13 Kick-out Mechanismによる拡散における基本仮定の判定条件
- 1a-G-12 Ge中のCuの導入及び回復
- 2p-F-7 シリコン中の金拡散と積層欠陥
- 28aXT-6 シリコン中のリン拡散におけるplateau,rapid fallおよびtailの形成機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 24pY-6 空孔および格子間原子機構対拡散モデルに基づくSi中のPの実効拡散係数および律速過程
- 多準位不純物における電子占有確率
- 26pYL-7 Si中のPの準格子間機構1結合型移動での移動確率
- 29a-ZA-5 Si中のP拡散への酸化および窒化効果の解析
- 25p-T-7 x/√の関数としてのSi中のp拡散密度分布から求められるp実効拡散係数
- 7a-S-6 不純物-点欠陥連立拡散方程式の数値解における境界条件
- 30p-E-5 Si中のsplit-interstitial移動の図的模型
- 24a-T-1 シリコン中金拡散によって発生した積層欠陥の金拡散に及ぼす影響
- シリコン中の金の連続回復
- 5p-A3-8 Si中の電気的活性Auと点欠陥
- Mechanism of Formation of Plateau, Rapid Fall and Tail in Phosphorus Diffusion Profile in Silicon Based on Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- Fraction of Interstitialcy Component of Phosphorus Diffusion in Silicon in Intrinsic State
- 12p-Q-2 シリコンへの燐拡散における表面効果
- 14a-L-2 シリコン中の金の回復
- 2p-Z-11 Si中の酸化増速(減速)拡散および酸化積層欠陥に関する1時間3方程式解法
- 2p-F-6 Si中の酸化増速(減速)拡散および積層欠陥の解析
- 固体中の多数の電子のランダム運動平均自由時間に対する2種類の定義
- Si中のP拡散への空孔機構および準格子間機構対拡散モデルの適用
- 3p-M-13 Si中のP, As拡散への準格子間機構対拡散モデル適用に関する提案
- シリコン結晶中のリン拡散におけるリン-空孔対拡散モデル
- 27a-N-8 対拡散モデルに基づくSi中のP異常拡散
- シリコン結晶の不純物拡散機構
- シリコンにおけるV族不純物拡散
- Diffusion Equation of Phosphorus in Silicon Based on the Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- Uncorrelated Silicon Self-Diffusion Coefficient via Vacancy Mechanism Obtained by Dissociative Diffusion of nickel
- Study of Numerical Solution of Phosphorus Diffusion Equation in Silicon Based on the Diffuion Equation
- 29a-P-7 シリコン中の不純物拡散 : 特にV族不純物の対拡散モデルについて
- 12p-DK-3 対拡散モデルおよび通常拡散モデルに基づくSi中のAs拡散
- 27p-H-6 Siにおける空孔形成エネルギーのP濃度増加による減少
- 29p-K-6 対拡散モデルの基礎条件
- Comment on"Dependence of Gettering Efficiency on Metal Impurities"
- 拡がり抵抗自動測定装置によるpn接合測定
- 5p-A3-4 格子間原子と空孔の拡散方程式におけるフレンケル欠陥生成消滅項の効果
- Si中のVacancyおよびSelf-Interstitialの酸化雰囲気における挙動-1-
- 27p-K-1 シリコン中の高温置換金の拡散と点欠陥
- ホ-ル起電力への電流電極短絡効果の等角写像法による計算
- 14a-L-1 シリコン中のリン拡散
- 30p-SG-13 シリコン中の金の導入と回復
- 30a-T-2 解離機構によるシリコン中の拡散金分布の計算
- 3a-P-2 固体での化学反応における成分
- 31a GH-6 シリコン中の砒素拡散における砒素空格子点複合体による空格子点吸収
- 4a-AE-3 シリコン中のリン拡散方程式の数値解V
- 31p-BB-10 シリコン中のリン拡散方程式の数値解 IV
- 9p-P-1 シリコン中のリン拡散方程式の数値解III
- 5a-M-8 シリコン中のリン拡散方程式の数値解 II
- 6a-Q-10 シリコン中のリン拡散方程式の数値解
- 7a-M-5 不純物空格子点対の化学ポテンシャル
- 10a-N-10 シリコン中リンの異常拡散