Comment on"Dependence of Gettering Efficiency on Metal Impurities"
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 30a-T-4 Ge中のCuの導入及び回復(II)
- 30a-T-3 Kick-Out拡散の基本方程式の数値解
- 2p-NJ-13 Kick-out Mechanismによる拡散における基本仮定の判定条件
- 1a-G-12 Ge中のCuの導入及び回復
- 福岡工業大学電気工学科の創成型・動機付教育を目的とした電気工学概論
- 福岡工業大学電気工学科の創成型・動機付教育を目的とした電気工学概論
- 3p-M-14 シリコン結晶中に析出した金微粒子のHRTEM観察
- シリコン中過飽和金原子の回復熱処理時濃度分布
- 28aXT-6 シリコン中のリン拡散におけるplateau,rapid fallおよびtailの形成機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 24pY-6 空孔および格子間原子機構対拡散モデルに基づくSi中のPの実効拡散係数および律速過程
- 29a-ZA-5 Si中のP拡散への酸化および窒化効果の解析
- シリコン中の金の連続回復
- ガラスを通過する熱エネルギーの測定
- Mechanism of Formation of Plateau, Rapid Fall and Tail in Phosphorus Diffusion Profile in Silicon Based on Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- 27p-H-5 燐ドープシリコンのESRシグナルの温度依存性
- Fraction of Interstitialcy Component of Phosphorus Diffusion in Silicon in Intrinsic State
- 12p-Q-2 シリコンへの燐拡散における表面効果
- 14a-L-2 シリコン中の金の回復
- 27a-N-6 シリコン中積層欠陥の金拡散による成長・肥大と収縮・消滅
- 2p-Z-11 Si中の酸化増速(減速)拡散および酸化積層欠陥に関する1時間3方程式解法
- 2p-F-6 Si中の酸化増速(減速)拡散および積層欠陥の解析
- 固体中の多数の電子のランダム運動平均自由時間に対する2種類の定義
- Si中のP拡散への空孔機構および準格子間機構対拡散モデルの適用
- 3p-M-13 Si中のP, As拡散への準格子間機構対拡散モデル適用に関する提案
- シリコン結晶中のリン拡散におけるリン-空孔対拡散モデル
- 27a-N-8 対拡散モデルに基づくSi中のP異常拡散
- シリコン結晶の不純物拡散機構
- シリコンにおけるV族不純物拡散
- Diffusion Equation of Phosphorus in Silicon Based on the Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- Uncorrelated Silicon Self-Diffusion Coefficient via Vacancy Mechanism Obtained by Dissociative Diffusion of nickel
- Study of Numerical Solution of Phosphorus Diffusion Equation in Silicon Based on the Diffuion Equation
- 29a-P-7 シリコン中の不純物拡散 : 特にV族不純物の対拡散モデルについて
- 12p-DK-3 対拡散モデルおよび通常拡散モデルに基づくSi中のAs拡散
- 27p-H-6 Siにおける空孔形成エネルギーのP濃度増加による減少
- 29p-K-6 対拡散モデルの基礎条件
- Comment on"Dependence of Gettering Efficiency on Metal Impurities"
- 拡がり抵抗自動測定装置によるpn接合測定
- 5p-A3-4 格子間原子と空孔の拡散方程式におけるフレンケル欠陥生成消滅項の効果
- Si中のVacancyおよびSelf-Interstitialの酸化雰囲気における挙動-1-
- 27p-K-1 シリコン中の高温置換金の拡散と点欠陥
- ホ-ル起電力への電流電極短絡効果の等角写像法による計算
- 14a-L-1 シリコン中のリン拡散
- 30p-SG-13 シリコン中の金の導入と回復
- 30a-T-2 解離機構によるシリコン中の拡散金分布の計算
- 3a-P-2 固体での化学反応における成分
- 31a GH-6 シリコン中の砒素拡散における砒素空格子点複合体による空格子点吸収
- 4a-AE-3 シリコン中のリン拡散方程式の数値解V
- 31p-BB-10 シリコン中のリン拡散方程式の数値解 IV
- 9p-P-1 シリコン中のリン拡散方程式の数値解III
- 5a-M-8 シリコン中のリン拡散方程式の数値解 II
- 6a-Q-10 シリコン中のリン拡散方程式の数値解
- 7a-M-5 不純物空格子点対の化学ポテンシャル
- 10a-N-10 シリコン中リンの異常拡散
- Javaによる非線形拡散方程式(解離機構・kick-out機構)の数値解
- 27aRB-5 Si中過飽和高温置換Au回復過程で発生するAu集合体中のAu原子数分布(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 点欠陥が関与する位置交換型不純物拡散の数値解法とSi中Au拡散に対する計算例
- 28pXD-4 Si中過飽和高温置換Au回復過程でのAu集合体のSIMS観測(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 31pYG-9 Si 中低温置換金回復に関与する欠陥
- 800℃と900℃でのシリコン中金拡散の本質的相違と900℃拡散での点欠陥の寄与
- 17pTG-6 850℃上下温熱処理によるシリコン中金濃度分布の本質的相違
- 24pY-7 シリコン中過飽和置換金原子の外方拡散プロフィル
- 25p-T-2 均一核形成を伴うSi中置換金原子リング機構拡散における濃度分布
- 30a-YK-5 斜め研磨面上容量測定による半導体中不純物欠陥濃度分布の簡便測定
- 3p-M-8 欠陥が関与するSi中金拡散における律速過程
- 点欠陥が関与するSi中Au拡散数値解における各定数と境界および初期条件