師岡 正美 | 福岡工大
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概要
関連著者
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師岡 正美
福岡工大
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吉田 正幸
九州芸工大
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師岡 正美
福岡工大工
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吉田 正幸
Yoshida Semiconductor Laboratory
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友景 肇
福大工
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北川 興
九大工
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高橋 学
福工大
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高橋 学
福岡工大
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吉田 正幸
吉田半導体研究所
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師岡 正美
福岡工業大学電気工学科
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北川 興
福岡工業大学電子材料工学科
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時田 正彦
福岡工大
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竹田 精治
阪大理物
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堀内 繁雄
無機材研
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竹田 精治
阪大理学研究科
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杉田 吉充
富山大・理
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Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
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杉田 吉充
富山大理物理
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堀内 繁雄
三菱ガス科学(株)総合研究所
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中川 元雄
阪大理
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上田 文人
福岡工大
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友影 肇
福大工
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吉田 正章
九州芸工大
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邵 静武
福岡工大
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友景 肇
福岡大工
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杉田 吉充
富山大理
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米谷 伸乏
福大工
著作論文
- 3p-M-14 シリコン結晶中に析出した金微粒子のHRTEM観察
- 2p-F-7 シリコン中の金拡散と積層欠陥
- 24a-T-1 シリコン中金拡散によって発生した積層欠陥の金拡散に及ぼす影響
- 5p-A3-8 Si中の電気的活性Auと点欠陥
- 27p-H-5 燐ドープシリコンのESRシグナルの温度依存性
- 14a-L-2 シリコン中の金の回復
- 27a-N-6 シリコン中積層欠陥の金拡散による成長・肥大と収縮・消滅
- 2a-KL-4 シリコン中の金の回復(II)
- 27p-K-1 シリコン中の高温置換金の拡散と点欠陥
- 30p-SG-13 シリコン中の金の導入と回復
- 30a-T-2 解離機構によるシリコン中の拡散金分布の計算
- 31pYG-9 Si 中低温置換金回復に関与する欠陥
- 17pTG-6 850℃上下温熱処理によるシリコン中金濃度分布の本質的相違
- 24pY-7 シリコン中過飽和置換金原子の外方拡散プロフィル
- 25p-T-2 均一核形成を伴うSi中置換金原子リング機構拡散における濃度分布
- 30a-YK-5 斜め研磨面上容量測定による半導体中不純物欠陥濃度分布の簡便測定
- 3p-M-8 欠陥が関与するSi中金拡散における律速過程
- 1p-M2-5 Au拡散SiのDLTSと欠陥(格子欠陥)
- 3a-A3-9 シリコン中の金の回復(IV)(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)
- 30a-LG-3 シリコン中の高温置換金の回復(II)(格子欠陥)
- 30a-FA-3 シリコン中の高温置換金の回復(30a FA 格子欠陥)