三次元LSI積層集積技術に求められる微細構造に対応した局所電気特性評価技術(<特集>先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
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概要
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複数の半導体LSIデバイスを高密度に積層集積することにより,高機能電子集積システムを実現する三次元LSI積層集積技術の研究開発が精力的に進められている.三次元LSI積層構造では,通常の半導体LSIデバイスにはない,特有の構造としてシリコン貫通ビア(TSV)構造及び微細バンプ接続構造があり,それらは,デバイス内部に作り込まれた構造となるため,通常の評価技術による電気特性評価が難しい.我々は,高速ステップ信号を測定対象に印加して,反射してくる信号を観測することによりインピーダンス分布を求める時間領域反射(TDR)法に注目して,電気的な測定による局所特性評価技術としての開発を進めてきた.超伝導デバイスを用いたオンチップサンプリング回路によるTDR測定システムにより,超伝導伝送線路上での高分解能TDR測定技術の研究開発について紹介する.極低温環境下に限定されるが,0.33mmの位置分解能に相当する立上り時間6psのステップ信号によるTDR測定が実現できた.次に,室温環境で動作可能な,非線形伝送線路を用いた信号圧縮技術による高分解能TDR測定システムの構築及びそれを利用したLSI実装における伝送線路,接続構造に対する高分解能インピーダンス分布測定技術について紹介する.0.95mmの位置分解能に相当する立上り時間11psのステップ信号が実現され,実用的なTDR測定技術が確立できた.更に,高周波コンタクトプローブについて,先端電極を20μmピッチまで微細化した,微細ピッチコンタクトプローブの研究開発について紹介する.2端子GSタイプの20μmピッチコンタクトプローブにより,微細配線・電極構造への直接コンタクト測定が可能となった.
- 2010-11-01
著者
-
鈴木 基史
京大院工
-
鈴木 基史
産業技術総合研
-
鈴木 基史
独立行政法人産業技術総合研究所
-
鈴木 基史
産業技術総合研究所
-
鈴木 基史
京大
-
仲川 博
独立行政法人産業技術総合研究所
-
青柳 昌宏
独立行政法人産業技術総合研究所
-
青柳 昌宏
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
青柳 昌宏
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
菊地 克弥
独立行政法人産業技術総合研究所
-
青柳 昌弘
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
青柳 昌宏
東京理科大学大学院:独立行政法人産業技術総合研究所
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