28pSD-4 KCl(001)表面におけるC_<60>^+イオンの斜入射散乱(28pSD 領域1シンポジウム:エキゾチックな粒子ビームと固体・表面との相互作用,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-03-03
著者
-
鈴木 基史
京大院工
-
鈴木 基史
産業技術総合研究所
-
鈴木 基史
京大
-
中嶋 薫
京大工
-
木村 健二
京大工
-
松下 知義
京大院工
-
高木 慎平
京大院工
-
中嶋 薫
京大院工
-
木村 健二
京大院工
-
木村 健二
京大 大学院工学研究科
-
中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
関連論文
- 高分解能RBSを用いた表面・界面の評価
- 高分解能ラザフォード後方散乱法による表面分析
- 微細パッドピッチのLSIチップに対応するバーンインテスト用チップキャリヤ(次世代電子機器における先端実装技術と環境調和型実装技術論文)
- 5a-YC-5 炭素薄膜を透過したMeV Bクラスターイオンのエネルギー損失
- 28p-YD-10 高速中性ヘリウムの炭素薄膜中でのエネルギー損失測定
- 27a-S-8 高速中性水素の炭素薄膜中でのエネルギー損失
- 27aXP-5 KCl(001)表面に斜入射した2MeV He^+イオンによるコンボイ電子の放出(放射線物理)(領域1)
- 30a-H-8 表面ウェイクによるコンボイ電子の加速 : Z_1依存
- 29p-H-3 高速軽イオンによるコンボイ電子
- 25a-G-6 共鳴励起イオンにより放出されたコンボイ電子
- 28pSD-4 KCl(001)表面におけるC_^+イオンの斜入射散乱(28pSD 領域1シンポジウム:エキゾチックな粒子ビームと固体・表面との相互作用,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pRB-4 KCl(001)表面で鏡面反射した低速C_^+イオンのエネルギー損失(放射線物理(衝突に伴うエネルギー付与),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26aWD-2 低速C_^+イオンのKCl(001)表面における中性化(26aWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aTA-1 低速C_のKCl(001)表面における鏡面反射(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27p-Z-1 水素様イオンの共鳴励起の研究(II)
- C-8-4 電圧増倍回路の高臨界電流密度化設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-2 単一磁束量子回路セルライブラリの高臨界電流密度化(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- SC-8-3 単一磁束量子回路を用いた高精度デジタルアナログ変換器(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
- C-8-2 磁束量子パルス分配回路の設計と評価(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- C-8-5 単一磁束量子回路の動作への外部磁場の影響
- C-8-11 RSFQ AD変換器用 GHzインタフェース
- C-8-1 RSFQシフトダンプ型デマルチプレクサ
- RSFQシフト-ダンプ型デマルチプレクサの設計
- 27pRA-13 鏡面反射イオンによりKCl(001)表面から放出される2次電子数と2次イオン収率の相関(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27pRA-12 斜入射高速イオンによるイオン液体表面からの2次イオン放出(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23aRB-1 斜入射高速イオンのイオン液体表面での散乱(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21pRE-3 KCl(001)で鏡面反射したHeH^+分子イオンの解離片に対する表面トラックポテンシャルの影響(放射線物理(エネルギー付与過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21aRF-6 KCl(001)表面における低速グリシンイオンの散乱(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 18aXK-2 KC1(001)結晶表面で鏡面反射したHeH^+分子イオンの解離過程II(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 18aXK-5 斜入射高速イオンによるKC1(00l)表面からの2次イオン放出II(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 18aXK-1 ECRイオン源を用いたグリシンイオンの生成(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 26aWD-3 KCl(001)結晶表面で鏡面反射した1〜2MeV HeH^+分子イオンの解離過程(26aWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高分解能ラザフォード後方散乱分光法(高分解能RBS)を用いた界面近傍の格子ひずみ測定
- 25aYJ-7 斜入射高速イオンによるKC1(001)表面からの2次イオン放出(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 13aTG-3 低速 Ar^+ イオンの KC1(001) 表面における中性化 II(放射線物理, 領域 1)
- 高分解能ラザフォード後法散乱法を用いた極浅ドーパントの深さプロファイル分析
- ナノスケールで表面形状を制御した材料上における細胞培養
- 1252 ナノスケールで制御した材料上における細胞の接着挙動(J03-1 細胞の構造と流れのメカニクス(1),J03 細胞の構造と流れのメカニクス)
- 816 表面形状をナノスケールで制御した材料上における細胞の接着挙動観察(GS-2 生体材料,研究発表講演)
- 240 表面形状をナノスケールで制御した材料上における細胞の接着挙動(OS1-13 : 生体マイクロ・ナノ新技術(2),マイクロ・ナノバイオメカニクス)
- 22aXJ-7 ラザフォード後方散乱法によるSi/SiO_2界面酸化過程の解明(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Si中のSbの異常表面偏析
- 29a-YD-1 表面チャネリングイオンのオコロコフ効果III
- 12.5-30keV He^+イオンに対するSnTe(001)単結晶清浄表面の阻止能
- 表面チャネリングイオンのオコロコフ効果II
- 31p-PSB-56 MBE成長中のSiにおけるSbの異常表面偏析
- 28a-S-11 表面チャネリングイオンのオコロコフ効果
- 28a-S-10 高速H_2^+イオンの解離片に対する表面阻止能の近接効果
- 28a-S-9 PbSe(111)ホモエピタキシャル成長中の鏡面反射イオンの強度振動
- 28a-S-8 Si中にδ-ドープしたSbの高分解能RBS法による観察
- 30p-YB-11 SnTe(001) で鏡面反射した2MeV多価Cイオンのエネルギー損失
- 30p-YB-9 単結晶表面で鏡面反射した数 10 keV 希ガスイオンのエネルギー損失
- 30p-YB-8 高速H_2^+イオンの解離片に対する表面阻止能
- 4p-B-3 固体表面の阻止能
- 3p-B-1 炭素薄膜中での30MeV H_3^+の解離
- 2a-Q-6 PbSe(111)(√×√)R30°の高分解能RBSによる観察
- 29p-YH-2 固体表面と高速イオンの相互作用
- 30p-YS-11 単結晶表面で斜入射散乱した高速粒子の飛行時間スペクトル
- 三次元LSI積層集積技術に求められる微細構造に対応した局所電気特性評価技術(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- 省エネ組込みヘテロジニアス・マルチチップ積層COOL Systemの開発
- ジョセフソン-MOS集積回路技術 (特集:高温超電導) -- (超電導素子の研究)
- 24aRD-9 イオン性結晶の表面軸チャネリングイオンに対する相互作用ポテンシャル(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(表面・イオン照射),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 24aRD-7 KCI(001)表面で鏡面散乱したC_イオンのC_2放出(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(表面・イオン照射),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 30p-K-1 鏡面反射Heイオンの2次電子放出
- 5a-YC-9 鏡面反射イオンの二次電子放出
- 角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み
- 20aTD-6 低速 Ar^+ イオンの KCI(001) 表面における中性化
- 高分解能RBS法の原理と分析精度
- 28pXD-5 表面トラックポテンシャルの阻止能への影響
- 22aWB-11 Si(001)酸化初期過程の高分解能RBSによる観察
- 28a-WB-2 鏡面反射イオン分光によるlayer-by-layer成長表面のその場観察
- 高分解能RBS/channelingを用いたSiO_2/Si(001)の界面分析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 31aWD-1 高分解能 RBS による Si(001)(2×1) 清浄表面近傍の格子ひずみ測定
- 28a-XK-11 表面チャネリングイオンの2次電子放出
- ヘテロジニアス・マルチコア/マルチチップによる低消費電力画像処理のための機能分散処理ソフトウェア
- ヘテロジニアス・マルチコア/マルチチップによる低消費電力画像処理のための機能分散処理ソフトウェア
- 25pRA-12 30keVC_イオンのSi中の飛程に対するクラスター効果(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 3次元積層LSI開発のためのスケーラブルなプロトタイピング・システム(アーキテクチャ設計2,システムオンシリコンを支える設計技術)
- OS1204 ナノらせん要素配列界面層き裂先端における応力場とその破壊基準(ナノ・マイクロからの視点からの変形と破壊の力学(1),オーガナイズドセッション)
- 24aGD-8 高分解能RBSによるイオン液体2元混合物の表面組成分析(24aGD 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21pEB-10 30keVC_イオンのSi中での振る舞いに対するクラスター効果(21pEB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aB-5 低速希ガス原子に対するKCI(001)表面の阻止能
- 省エネ組み込みヘテロジニアス・マルチチップ・プロセッサシステムCOOL ChipのLSI試作(電力/電源解析,システムオンシリコンを支える設計技術)
- 24aAB-7 数百keV C_イオン照射によって形成された非晶質Si_3N_4薄膜中のイオントラックのTEM観察(24aAB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 24aAB-6 10-540 keV C_イオンを照射したSi中の照射損傷に対するクラスター効果(24aAB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27pEG-5 非晶質Si_3N_4薄膜中のイオントラックのHAADF-STEM観察(27pEG 放射線物理(放射線損傷・阻止能・二次電子放出・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- ポリマー光回路を用いた面出射光源の研究(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 3a-D4-8 高速イオンチャネリングによるPbSe/SnTe(001)の成長初期過程の研究(放射線物理)
- 26aBC-8 C_イオン照射によって形成された非晶質SiN薄膜中のイオントラックの膜厚依存性(放射線物理(放射線計測・二次電子放出・クラスター・放射線損傷),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26aBC-3 MeV領域のCu^とC_+イオンの透過によるSiN薄膜上のアミノ酸の前方2次イオン放出(放射線物理(放射線計測・二次電子放出・クラスター・放射線損傷),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 3a-D4-13 軽イオンのすれすれ入射による清浄単結晶表面からの二次電子放出(放射線物理)
- 6pWE-2 RBS測定によるエネルギーストラグリングの評価(放射線物理,領域1)
- 27p-GA-2 単結晶表面第一層で反射される高速イオンの挙動(表面・界面)
- 25aZA-2 イオン照射によるSi(111)表面のクレータ状損傷の形成(25aZA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
- 29p-I-4 固体表面で小角散乱した高速イオンに伴うConvoy電子(放射線物理)
- 30a-I-3 高速イオンに対する固体表面の阻止能(放射線物理)
- 27pYF-3 Ge/Si(001)酸化初期過程の高分解能RBSによる観察(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))