22aXJ-7 ラザフォード後方散乱法によるSi/SiO_2界面酸化過程の解明(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-08-21

著者

• 木村 健二

  京大工

• 木村 健二

  京大院工

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