27a-Z-2 イオン斜入射散乱迅速測定装置による成長中の結晶表面の評価

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1992-09-14

著者

• 鳴海 一雅

  原研高崎

• 木村 健二

  京大工

• 万波 通彦

  京大工

• 藤居 義和

  神戸大工

• 鳴海 一雅

  京大工

• 藤居 義和

  京大工

• 鳥羽 一彰

  京大工

関連論文

• 高分解能RBSを用いた表面・界面の評価
• 高分解能ラザフォード後方散乱法による表面分析
• 28a-XK-9 イオン誘起2次電子によるSi L殻電子のイオンビームシャドーイング測定
• 26a-YR-2 MeV重イオンを用いた透過チャネリング法によるAg/Au/Si(111)表面の吸着構造の解析
• 30p-K-10 Ag/Au/Si(111)薄膜結晶における高エネルギー重イオンの透過チャネリング
• 5a-YC-8 結晶標的におけるイオン誘起2次電子の生成とトランスポート
• 5a-YC-5 炭素薄膜を透過したMeV Bクラスターイオンのエネルギー損失
• 28p-YD-14 100keV/u軽イオン誘起による固体からの高速2次電子放出
• 28p-YD-10 高速中性ヘリウムの炭素薄膜中でのエネルギー損失測定
• 27a-S-8 高速中性水素の炭素薄膜中でのエネルギー損失
• 30a-H-8 表面ウェイクによるコンボイ電子の加速 : Z_1依存
• 29p-H-3 高速軽イオンによるコンボイ電子
• 25a-G-6 共鳴励起イオンにより放出されたコンボイ電子
• 28pSD-4 KCl(001)表面におけるC_^+イオンの斜入射散乱(28pSD 領域1シンポジウム:エキゾチックな粒子ビームと固体・表面との相互作用,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pRB-4 KCl(001)表面で鏡面反射した低速C_^+イオンのエネルギー損失(放射線物理(衝突に伴うエネルギー付与),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 26aWD-2 低速C_^+イオンのKCl(001)表面における中性化(26aWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27p-Z-1 水素様イオンの共鳴励起の研究(II)
• 27pRA-13 鏡面反射イオンによりKCl(001)表面から放出される2次電子数と2次イオン収率の相関(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pRA-12 斜入射高速イオンによるイオン液体表面からの2次イオン放出(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23aRB-1 斜入射高速イオンのイオン液体表面での散乱(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21pRE-3 KCl(001)で鏡面反射したHeH^+分子イオンの解離片に対する表面トラックポテンシャルの影響(放射線物理(エネルギー付与過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aRF-6 KCl(001)表面における低速グリシンイオンの散乱(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-2 KC1(001)結晶表面で鏡面反射したHeH^+分子イオンの解離過程II(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-5 斜入射高速イオンによるKC1(00l)表面からの2次イオン放出II(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-1 ECRイオン源を用いたグリシンイオンの生成(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 26aWD-3 KCl(001)結晶表面で鏡面反射した1〜2MeV HeH^+分子イオンの解離過程(26aWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 13aTG-3 低速 Ar^+ イオンの KC1(001) 表面における中性化 II(放射線物理, 領域 1)
• 22aXJ-7 ラザフォード後方散乱法によるSi/SiO_2界面酸化過程の解明(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• Si中のSbの異常表面偏析
• 29a-YD-1 表面チャネリングイオンのオコロコフ効果III
• 12.5-30keV He^+イオンに対するSnTe(001)単結晶清浄表面の阻止能
• 表面チャネリングイオンのオコロコフ効果II
• 31p-PSB-56 MBE成長中のSiにおけるSbの異常表面偏析
• 28a-S-11 表面チャネリングイオンのオコロコフ効果
• 28a-S-10 高速H_2^+イオンの解離片に対する表面阻止能の近接効果
• 28a-S-9 PbSe(111)ホモエピタキシャル成長中の鏡面反射イオンの強度振動
• 28a-S-8 Si中にδ-ドープしたSbの高分解能RBS法による観察
• 30p-YB-11 SnTe(001) で鏡面反射した2MeV多価Cイオンのエネルギー損失
• 30p-YB-9 単結晶表面で鏡面反射した数 10 keV 希ガスイオンのエネルギー損失
• 30p-YB-8 高速H_2^+イオンの解離片に対する表面阻止能
• 4p-B-3 固体表面の阻止能
• 3p-B-1 炭素薄膜中での30MeV H_3^+の解離
• 2a-Q-6 PbSe(111)(√×√)R30°の高分解能RBSによる観察
• 29p-YH-2 固体表面と高速イオンの相互作用
• 30p-YS-11 単結晶表面で斜入射散乱した高速粒子の飛行時間スペクトル
• 13p-Q-3 1 MeV H^+_2イオンに対するC-薄膜の阻止能
• 29a-YS-7 SnTe(001)表面で鏡面反射したMeVプロトンのエネルギーストラグリング
• 29a-YS-4 10 MeV/amu H_2^+、H_3^+イオンに対するC薄膜の阻止能
• 13p-Q-4 20MeV H^+_2イオンに対するC薄膜の阻止能 II
• 25a-L-10 20MeV H_2^+イオンに対するC薄膜の阻止能
• 25aZB-8 薄膜を透過した2原子クラスターイオンの発散角と電荷の同時測定(放射線物理(クラスター・2次粒子放出),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 25a-L-7 MeV Heイオンのエネルギー損失に対する表面電子の動的応答の寄与
• 30a-H-5 斜入射イオン散乱による表面のReal Time評価
• 28p-H-7 単結晶表面ですれすれ散乱した数+keVH^+のエネルギー損失
• 29p-ZG-13 斜入射散乱した高速イオンのエネルギー損失 : 表面チャネリング
• 29p-ZG-12 斜入射散乱した高速イオンのエネルギー損失 : 鏡面反射
• 25p-G-4 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギー損失の荷電状態依存
• 25p-G-3 Si単結晶表面における斜入射散乱イオンのエネルギー損失
• 4p-L-4 Si(001)単結晶表面へ小角入射した軽イオンによる二次電子放出
• 3p-X-4 36MeV ^3He^+の薄膜透過に伴うコンボイ電子
• 24aRD-9 イオン性結晶の表面軸チャネリングイオンに対する相互作用ポテンシャル(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(表面・イオン照射),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24aRD-7 KCI(001)表面で鏡面散乱したC_イオンのC_2放出(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(表面・イオン照射),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 30a-H-2 表面ブロッキング法による表面近傍での阻止能の測定
• 24aRD-6 高速イオンの表面散乱(チュートリアル講演,24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(表面・イオン照射),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24pRD-9 薄膜を透過した2原子分子構成イオンの電荷と初期核間距離との相関(24pRD 原子分子・放射線物理・融合(キャピラリー・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 30a-H-1 高分解能イオン散乱分光法による表面一原子層ごとの分析
• 31a-X-1 高速HeH^+イオンの鏡面散乱における配向
• 31a-X-2 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギーロス
• 4a-L-3 MeV Heイオンの斜入射散乱-荷電状態
• 3a-L-6 MeV Heイオンの斜入射散乱によるPbSe / SnTe単結晶成長の初期過程の測定
• 30p-K-1 鏡面反射Heイオンの2次電子放出
• 5a-YC-9 鏡面反射イオンの二次電子放出
• 19pYR-6 薄膜を使った炭素クラスターイオンの構造解析(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 31p-P-16 結晶転位における面チャネルイオンの散乱
• 31p-P-14 Al-Zn, Al-Ag 合金単結晶中のG.P.ゾーンでのデチャネリング
• 2a-S-2 球状G.P.ゾーンを含むAl-Ag合金単結晶でのイオンチェネリング
• 5a-S-1 境界転位による チャネリングイオンの直接散乱II
• 25p-L-8 表面原子により散乱された高速Heイオンの荷電分布
• 30a-ZG-5 水素分子イオン照射による固体表面からの二次電子収量(放射線物理)
• 25p-L-10 表面散乱における高速HeH^+の解離過程
• 30a-H-4 表面散乱における高速分子イオンの配向
• 25p-G-6 高速H_2^+イオンによるSnTe単結晶からの二次電子放出
• 2a-G-8 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギー損失と荷電状態
• 2a-G-5 高速分子イオンの鏡面散乱における中性解離片
• 角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み
• 20aTD-6 低速 Ar^+ イオンの KCI(001) 表面における中性化
• 高分解能RBS法の原理と分析精度
• 28pXD-5 表面トラックポテンシャルの阻止能への影響
• 22aWB-11 Si(001)酸化初期過程の高分解能RBSによる観察
• 28a-WB-1 高分解能RBSによるSi(001)上のAg成長の研究
• 12p-Q-3 高分解能RBS法によるSnTe(100)上PbTe成長の初期過程の観察
• 28a-WB-2 鏡面反射イオン分光によるlayer-by-layer成長表面のその場観察
• 13p-Q-13 斜入射散乱したMeV Liイオンのエネルギー損失の入射・出射電荷依存
• 30a-ZG-3 すれすれ散乱した数10keV H^+のエネルギースペクトルII(放射線物理)
• 25a-L-6 すれすれ散乱した数10keV H^+のエネルギースペクトル
• 27a-Z-2 イオン斜入射散乱迅速測定装置による成長中の結晶表面の評価
• 31aWD-1 高分解能 RBS による Si(001)(2×1) 清浄表面近傍の格子ひずみ測定
• 5p-P-6 Au/Ni(100)のエピタキシー成長初期段階のチャネリングによる研究
• 24pZA-8 MeVエネルギークラスターイオン照射による2次粒子の測定(24pZA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク