藤居 義和 | 京大工
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概要
関連著者
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加藤 文弘
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鳥羽 一影
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鞍掛 浩
京大工
著作論文
- 4p-B-3 固体表面の阻止能
- 30p-YS-11 単結晶表面で斜入射散乱した高速粒子の飛行時間スペクトル
- 25a-L-7 MeV Heイオンのエネルギー損失に対する表面電子の動的応答の寄与
- 30a-H-5 斜入射イオン散乱による表面のReal Time評価
- 28p-H-7 単結晶表面ですれすれ散乱した数+keVH^+のエネルギー損失
- 29p-ZG-13 斜入射散乱した高速イオンのエネルギー損失 : 表面チャネリング
- 29p-ZG-12 斜入射散乱した高速イオンのエネルギー損失 : 鏡面反射
- 25p-G-4 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギー損失の荷電状態依存
- 25p-G-3 Si単結晶表面における斜入射散乱イオンのエネルギー損失
- 31a-X-2 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギーロス
- 4a-L-3 MeV Heイオンの斜入射散乱-荷電状態
- 3a-L-6 MeV Heイオンの斜入射散乱によるPbSe / SnTe単結晶成長の初期過程の測定
- 2a-G-8 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギー損失と荷電状態
- 28a-WB-2 鏡面反射イオン分光によるlayer-by-layer成長表面のその場観察
- 13p-Q-13 斜入射散乱したMeV Liイオンのエネルギー損失の入射・出射電荷依存
- 30a-ZG-3 すれすれ散乱した数10keV H^+のエネルギースペクトルII(放射線物理)
- 25a-L-6 すれすれ散乱した数10keV H^+のエネルギースペクトル
- 27a-Z-2 イオン斜入射散乱迅速測定装置による成長中の結晶表面の評価
- 6a-C4-11 高速イオンの鏡面反射における表面ステップの影響
- 3a-D4-5 チャネリングHeイオンの荷電状態(放射線物理)
- 27p-GA-2 単結晶表面第一層で反射される高速イオンの挙動(表面・界面)
- 29p-I-4 固体表面で小角散乱した高速イオンに伴うConvoy電子(放射線物理)
- 30a-I-3 高速イオンに対する固体表面の阻止能(放射線物理)
- 28p-M-6 面チャネリングHeイオンの荷電分布の面間位置依存性(28pM 放射線)