鈴木 康文 | 京大工
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概要
関連著者
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鈴木 康文
京大工
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京大工
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万波 通彦
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阪大RCNP
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高エネ機構素技術
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藤居 義和
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鈴木 基史
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平林 直人
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片山 一郎
阪大RCNP
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藤原 伸介
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向 秀和
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内田 哲也
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小川 英巳
奈良女子大学理
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鳴海 一雅
原研高崎
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富田 道男
京都府立大学生活科学部応用物理学講座
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京都府大人間環境
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池上 栄胤
京大工
著作論文
- 3p-TB-7 分子イオン・ビーム実験 II : H_2^+,N_2^+の解離と電子捕獲
- 3p-TB-6 分子イオン・ビーム実験 I : 装置と性能
- 28a-S-10 高速H_2^+イオンの解離片に対する表面阻止能の近接効果
- 30p-YB-8 高速H_2^+イオンの解離片に対する表面阻止能
- 3p-B-1 炭素薄膜中での30MeV H_3^+の解離
- 13p-Q-3 1 MeV H^+_2イオンに対するC-薄膜の阻止能
- 29a-YS-4 10 MeV/amu H_2^+、H_3^+イオンに対するC薄膜の阻止能
- 13p-Q-4 20MeV H^+_2イオンに対するC薄膜の阻止能 II
- 25a-L-10 20MeV H_2^+イオンに対するC薄膜の阻止能
- 3p-X-4 36MeV ^3He^+の薄膜透過に伴うコンボイ電子
- 25a-B-10 PbS/SnTe(001), PbTe/SnTe(001) 二重膜の不一致転位
- 31a-X-1 高速HeH^+イオンの鏡面散乱における配向
- 4a-L-3 MeV Heイオンの斜入射散乱-荷電状態
- 3a-L-6 MeV Heイオンの斜入射散乱によるPbSe / SnTe単結晶成長の初期過程の測定
- 30a-ZG-5 水素分子イオン照射による固体表面からの二次電子収量(放射線物理)
- 25p-L-10 表面散乱における高速HeH^+の解離過程
- 30a-H-4 表面散乱における高速分子イオンの配向
- 25p-G-6 高速H_2^+イオンによるSnTe単結晶からの二次電子放出
- 2a-G-8 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギー損失と荷電状態
- 2a-G-5 高速分子イオンの鏡面散乱における中性解離片
- 30a-G-5 分子イオン・ビーム実験 VI : H_2^++H_2における解離と電子捕獲
- 4p-X-3 速い分子イオンの表面散乱
- 3a-D4-8 高速イオンチャネリングによるPbSe/SnTe(001)の成長初期過程の研究(放射線物理)
- 3a-D4-3 わん曲結晶中でGeVイオンのチャネルへの捕獲(放射線物理)
- 3a-D4-5 チャネリングHeイオンの荷電状態(放射線物理)
- 3a-D4-13 軽イオンのすれすれ入射による清浄単結晶表面からの二次電子放出(放射線物理)
- 28p-M-9 SnTe単結晶表面で鏡面反射したMeV Heイオンによって生成されるコンボイ電子(28pM 放射線)
- 29a-M-2 高速分子イオンの表面散乱シミュレーション(29aM 放射線)
- 1p-CD-9 分子イオン・ビーム実験 V : 1電子模型による断面積計算(原子・分子,第41回年会)
- 1p-CD-8 分子イオン・ビーム実験 IV : H^+_2, CO^+の解離と電子捕獲(原子・分子,第41回年会)