Al系超伝導トンネル接合素子の作製と評価(デジタル,一般)
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概要
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我々はフォトリソグラフィ技術とドライエッチングを用いてAl系超伝導トンネル接合(Al-STJ)素子を作製することに成功した。Alはドライエッチングが難しいため、正規分布関数(Normal Distribution Function: ICF)形状のような微細な電極パターンを形成することは困難である。我々は誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma: ICP)を用いて高密度プラズマを発生させることで、Alのドライエッチングを可能としAl-STJの作製を行った。NDF形状(σ=0.45)で、接合面積が2,500μm^2と10,000μm^2のAl-STJを作製した。0.4KにおいてI-V特性を測定し、V_g=0.38mV、I_<L@0.2mV>=50nA(面積2,500μm^2の場合)と良好な特性が得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-18
著者
-
佐藤 広海
理研
-
佐藤 広海
理化学研究所
-
明連 広昭
埼玉大学大学院理工学研究科
-
田井野 徹
埼玉大学大学院理工学研究科
-
高田 進
埼玉大学大学院理工学研究科
-
鎌田 幸佑
埼玉大学大学院理工学研究科
-
Takada S
Electrotechnical Laboratory
-
田井野 徹
埼玉大学工学部電気電子システム工学科
-
田井野 徹
埼玉大学大学院・理工学研究科
-
田井野 徹
埼玉大院理工学研究科
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