CeO_2層間絶縁膜を用いたビア及びクロスオーバーの作製

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概要

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• YBaCuO/CeO_2/YBaCuO/CeO_2積層構造を持つ、ビアとクロスオーバー構造を作製した。ex-situプロセスで作製したにもかかわらず、下部YBaCuOブリッジは87KのT_cを持ち、80KにおけるJ_cは1×10^5A/cm^2であった。ビアのJ_cは80Kにおいて1×10^4A/cm^2あり、素子を駆動するために十分な能力を有することがわかった。CeO_2絶縁層は、80Kで1×10^8Ωcm以上の抵抗率を持ち高い絶縁性を持つことが明らかになった。上部YBaCuOブリッジ層のJ_c、段差部にできた粒界によって支配されていた。CeO_2膜が、YBaCuO膜を使った集積回路の絶縁材料として非常に有望であることが確認された。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-12-13

著者

• 佐藤 弘

  電子技術総合研究所

• 赤穂 博司

  電子技術総合研究所

• 佐藤 弘

  産総研・強相関電子技術セ

• 宮川 隆二

  熊本県工業技術センター

• Gjoen Stein

  Electrotechnical Laboratory

• Gjoen Stein

  電子技術総合研究所

• 中村 徳人

  千葉工業大学

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