21pRB-6 TTF系高移動度材料を用いた有機電界効果型トランジスタ(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-08-21
著者
-
長谷川 達生
産総研
-
斎藤 軍治
京大理
-
長谷川 達生
産総研光技術
-
斉藤 軍治
京大院理
-
齋藤 軍治
名城大総研
-
長谷川 達生
産総研CERC
-
十倉 好紀
産総研CERC
-
十倉 好紀
Erato-mf:産総研:東大工:理研cmrg
-
高橋 幸裕
北大院理
-
高橋 幸裕
産総研CERC
-
山田 寿一
産総研CERC
-
斎藤 軍司
京大院理
-
山田 寿一
産総研
-
斉藤 軍治
京大低物セ:京大院理
-
十倉 好紀
産総研:東大工
-
長谷川 達生
産業技術総合研究所 光技術研究部門
-
齋藤 軍治
名城大
-
斉藤 軍治
名城大
関連論文
- 20aGF-1 擬1次元有機強誘電体TTF-QBrCl_3におけるソリトンが生む誘電性・磁性(20aGF マルチフェロイクス1,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20pGV-8 有機半導体界面の電荷変調分光(20pGV 領域7,領域9合同シンポジウム:有機半導体界面における電子状態プローブの新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-14 低温ESRを用いたペンタセン薄膜トランジスタのトラップ分布解析II(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-13 低閾電圧ボトムコンタクト有機薄膜トランジスタの開発(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGS-12 CT錯体単結晶における励起子電荷分離観測(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aTC-2 三角格子モット絶縁体κ-(BEDT-TTF)_2Cu_2(CN)_3の圧力下磁性(23aTC κ-ET系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 15aWH-7 三角格子モット絶縁体κ-(ET)_2Cu_2(CN)_3 の圧力下電子状態(ET 塩 : к型他, 領域 7)
- 7a-D-13 α'-(BEDT-TTF)_2IBr_2の高周波ESR
- 27aWL-12 三角格子モット絶縁体κ-(ET)_2Cu_2(CN)_3の圧力下^1H-NMR(ET塩(κ型))(領域7)
- 23pRB-10 (DIETSe)_2GaCl_4の^Se NMR(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- (BEDT-TTF)_3CuBr_4の高圧下物性
- 28aYF-6 κ-ET塩におけるモット絶縁相と電荷秩序相の競合(28aYF κ-ET系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTC-16 (MeEDO-TTF)_2PF_6の電荷変調を伴う一次相転移 : 高電場および圧力効果(22pTC 非線形伝導・電荷秩序・超伝導(θおよびβ-ET系),領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pTF-9 (ET)_3(AuBr_2)_2(AuBr_4)_2における電荷不均化状態と金属的導電性(θ-ET系・電荷秩序,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pRB-9 (DIETSe)_2MX4[M=Fe,Ga;X=Cl,Br]の磁性と磁気輸送特性(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 有機分子材料の構造と機能I (低分子有機伝導体)
- 20pRJ-6 (DIETSe)_2FeCl_4の磁性と特異な巨大磁気抵抗II(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20pRJ-7 (DIETSe)_2FeBr_4の磁気輸送特性(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
- 有機伝導体κ-(ET)_2Xのスピン液体と超伝導 : キャリアードーピング、バンド幅・バンドの異方性制御(化学からみた物性物理)
- 29pTE-15 (DIETSe)_2FeCl_4の磁性と特異な巨大磁気抵抗(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYL-2 三角格子系κ-(ET)_2Cu_2(CN)_3の超伝導状態におけるNMR(超伝導, κ, β-ET塩等,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTD-10 (BEDT-TTF)(ClMeTCNQ)の圧力下フル構造解析 : NI転移近傍における相共存とドメインサイズの収縮(28pTD 金属架橋鎖,NI転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aYG-5 ルブレン単結晶のフェムト秒分光 : 光キャリア生成の励起エネルギー依存性(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pVD-6 有機1次元モット絶縁体における光キャリアの超高速ダイナミクス : 電子格子相互作用の効果(28pVD 領域5,領域7合同 光誘起相転移(電荷移動錯体・その他),領域5(光物性))
- 22pTB-11 静電転写印刷プロセス法を用いた有機薄膜トランジスタの開発(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTB-10 HMTTF高移動度薄膜トランジスタの開発(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTB-7 ルブレン単結晶の中近赤外フェムト秒ポンププローブ分光II(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTB-6 ルブレン単結晶の中近赤外フェムト秒ポンププローブ分光I(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pTG-10 電荷移動錯体結晶の相転移近傍における電界効果キャリヤ注入(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pTG-11 金属有機界面と有機FETトランジスタのオン/オフ挙動(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pTF-2 ESRによるAlkali-TCNQの電子状態の研究III(TTF-TCNQ,中性イオン性転移高分子等,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22pRA-5 電荷移動型材料を利用する高性能有機トランジスタの開発(領域7シンポジウム 主題:『進化』する有機トランジスタ,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRA-12 ESRによるAlkali-TCNQの電子状態の研究II(β,β''塩・高電場効果,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRB-6 TTF系高移動度材料を用いた有機電界効果型トランジスタ(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRB-7 界面エンジニアリングによるTTF系薄膜トランジスタの開発(3)(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRB-8 インクジェット有機電極によるペンタセン薄膜トランジスタの低電圧動作の起源(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20pRJ-9 ESRによるAlkali-TCNQの電子状態の研究(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-1 D-Aダブルショットインクジェット法による高導電性有機薄膜電極(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24pZR-1 電界効果キャリアドーピングによるSrTiO_3の金属絶縁体転移(24pZR Ti系・その他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pYF-1 インクジェット有機金属電極を利用する有機薄膜トランジスタの動作特性3(26pYF 分子素子,有機FET 2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTF-5 MEM(TCNQ)_2結晶表面の分子配列と電位分布の実空間観察(TTF-TCNQ,中性イオン性転移高分子等,領域7,分子性固体・有機導体)
- 領域7,8,9「酸化物・分子性導体電界効果トランジスタ開発の現状と展望」(2004年秋季大会シンポジウム(物性領域)の報告)
- 27pYD-12 電荷移動錯体系ナローギャップ半導体による光電変換(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYD-6 低温ESRを用いたペンタセン薄膜トランジスタのトラップ分布解析(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aYG-11 高移動度ポリマートランジスタにおけるESRスペクトルの運動による尖鋭化(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aYG-1 HMTTF高移動度薄膜トランジスタの開発(II)(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 有機トランジスタの電子スピン共鳴 : キャリアダイナミクス解明への微視的アプローチ(センサー,デバイス,一般)
- 22pTB-12 有機トランジスタにおける電界誘起キャリアのスピン緩和と電荷輸送(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pTG-13 界面制御した有機薄膜内ポーラロンの電界誘起ESR(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
- 有機トランジスタの電子スピン共鳴スペクトルにおける尖鋭化効果
- 21pRB-9 ペンタセン薄膜トランジスタの電子スピン共鳴スペクトルにおけるMotional Narrowing効果(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-3 ペンタセン薄膜トランジスタにおけるドーピング制御とスピン状態観測(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRJ-2 界面エンジニアリングによるTTF系薄膜トランジスタの開発(2)(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aYF-12 界面エンジニアリングによるTTF系薄膜トランジスタの開発(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-17 インクジェット有機金属電極を利用する有機薄膜トランジスタの動作特性2(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXA-5 インクジェット有機金属電極を利用する有機薄膜トランジスタの動作特性(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aUE-5 SrTiO_3単結晶に対する電界効果キャリアドーピング(28aUE モット転移,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aYF-11 分子性単結晶デバイスの有機金属による動作制御(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXA-6 有機モット絶縁体におけるショットキー界面の輸送特性(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXA-4 有機金属電極を用いた分子性単結晶FETの動作制御II(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXA-3 界面ドープ型有機薄膜トランジスタの動作特性II(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aRE-4 (BEDT-TTF)(F_2TCNQ)における光誘起モット転移の超高速ダイナミクス : 過渡反射スペクトルの時間発展の精密解析(27aRE 光誘起相転移,領域5(光物性))
- in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価(センサ,デバイス,一般)
- 23pRL-3 イオン液体を用いた有機トランジスタの高感度電界誘起ESR(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-1 CT錯体単結晶における励起子電荷分離観測II(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-4 低閾電圧ボトムコンタクト有機薄膜トランジスタの開発II(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pWB-10 (BETS)_2(Cl_2TCNQ)の圧力下^Se NMR(陽ラジカル塩,単一成分系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 13aWH-6 低温・高圧 1.5GPa 以下における分子性単結晶フル構造解析 III(NI 系, スピン・パイエルス系, 領域 7)
- 分子性導体と有機トランジスタの接点 (特集:分子性材料と分子素子)
- 23pRL-2 高移動度有機半導休材料の孤立分子のESR解析(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 技術的な基礎が確立され,明るい未来はもうそこまで来ている 有機半導体とは何か
- 27pYL-7 (BEDO-TTF)(Cl_2TCNQ)の相転移 : NMRで見たスピンダイナミクスiv(τ-型, および各種相転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 有機半導体における分子間電荷移動励起を用いた光電変換
- 28pTN-6 単結晶有機半導体薄膜のダブルショット・インクジェット印刷(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTN-5 有機薄膜トランジスタにおける微結晶内-微結晶間キャリヤダイナミクスの分離(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTN-4 ペンタセン単結晶電気二重層トランジスタによる電荷変調分光(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pTN-3 LBIC法による有機半導体単結晶の励起子拡散・電荷分離測定(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 13aWH-7 (BEDO-TTF) (Cl_2TCNQ) の相転移 : NMR で見たスピンダイナミクス III(NI 系, スピン・パイエルス系, 領域 7)
- 28pWG-11 (BEDO-TTF)(Cl_2TCNQ)の相転移 : NMRで見たスピンダイナミクスII(方法論・NI系・他)(領域7)
- 21pTD-5 単結晶有機半導体薄膜のダブルショット・インクジェット印刷II(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTD-1 LBIC法による有機半導体単結晶の励起子拡散・電荷分離測定II(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTD-6 気液界面における単結晶有機半導体薄膜の成長(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTD-4 有機薄膜トランジスタにおける微結晶内-微結晶間キャリヤダイナミクスの分離II(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTD-3 FI-ESR法によるDNTT薄膜トランジスタの微量不純物分析(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pTD-2 ペンタセン単結晶電気二重層トランジスタによる電荷変調分光II(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYF-5 ペンタセン単結晶トランジスタの電荷変調分光 : イオン液体/固体ゲートの比較(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aCF-8 有機半導体における電荷移動ギャップ制御と励起子拡散・電荷分離(24aCF 光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYF-5 ペンタセン単結晶トランジスタの電荷変調分光 : イオン液体/固体ゲートの比較(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 20pHA-1 DA型ポリマーにおける電荷移動励起子と光電変換(20pHA 太陽電池・発光デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pAK-3 親水疎水パターン基板上の液滴形状のエネルギー最小化シミュレーション(20pAK 化学物理2,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 26pCC-5 新規ポリマー半導体PNDTBTを用いた薄膜FETの電界誘起ESR測定(26pCC 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aXP-8 DA型ポリマーにおける電荷移動励起子と光電変換II(27aXP 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pXP-4 有機トランジスタの浅いトラップ状態の起源 : 絶縁膜表面の双極子乱れモデル(27pXP 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pPSB-37 有機電荷移動錯体DBTTF-TCNQのフェムト秒過渡分光(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 28pXT-4 電子スピン共鳴による局在状態密度の観測(28pXT 領域7シンポジウム:分子性物質におけるゆらぎとコヒーレンス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pDF-2 電荷変調吸収スペクトルによるバンドコヒーレンス解析 1 : DA型ポリマー半導体の材料依存性(界面デバイス2,領域7(分子性個体・有機導体))
- 26pDF-3 電荷変調吸収スペクトルによるバンドコヒーレンス解析2 : PNTz4Tの結晶性依存性(界面デバイス2,領域7(分子性個体・有機導体))
- 26aDF-11 有機半導体/絶縁体界面2次元系における相関ゆらぎの影響(界面デバイス1,領域7(分子性個体・有機導体))
- 26pDF-4 電荷移動錯体DBTTF-TCNQ結晶のフェムト秒ポンププローブ分光(界面デバイス2,領域7(分子性個体・有機導体))
- 29pAN-7 DA型ポリマー半導体の電荷変調分光 : 励起子間相互作用にもとづく分子秩序評価(29pAN 界面デバイス2,領域7(分子性固体))