21pTD-3 FI-ESR法によるDNTT薄膜トランジスタの微量不純物分析(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
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概要
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- 2011-08-24
著者
-
松井 弘之
産総研
-
長谷川 達生
産総研
-
瀧宮 和男
広大工
-
長谷川 達生
産総研光技術
-
松井 弘之
産総研:東大新領域
-
松井 弘之
東大院新領域
-
高橋 永次
産総研光技術:住化分析センター
-
長谷川 達生
産業技術総合研究所 光技術研究部門
-
瀧宮 和男
理研
-
高橋 永次
住化分析センター
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