中村 貴義 | 北大電子研
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概要
関連著者
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中村 貴義
北大電子研
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芥川 智行
北大電子研
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池上 敬一
産総研物質プロセス
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池上 敬一
電総研
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松本 睦良
物質研
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黒田 新一
電総研:名大工
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川端 康治郎
物質工学工業技術研究所
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黒田 新一
電総研
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杉 道夫
桐蔭横浜大工
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杉 道夫
電総研
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中村 貴義
化技研
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松本 睦良
化技研
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斉藤 和裕
電子技術総合研究所超分子部
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川端 康治郎
化技研
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斎藤 軍治
京大理
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斎藤 充喜
電総研
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橘 浩昭
化技研
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堀内 佐智雄
京大理
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多辺 由佳
電総研
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斉藤 和裕
電総研
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長谷川 達生
北大電子研
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芥川 智行
北海道大学・電子科学研究所・大学院環境科学
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太田 仁
神戸大分子フォトセ
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岩佐 義宏
東北大金研
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近藤 隆祐
東大院総合
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朝倉 淳
神戸大院理
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大久保 晋
神戸大分子フォトセ
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西原 禎文
阪府大院理
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細越 裕子
阪府大院理
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細越 裕子
阪府大院理:阪府大ナノ研
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斎藤 軍治
京大院理
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岩佐 義宏
北陸先端大
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中村 貴義
北海道大学電子科学研究所
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大久保 晋
神戸大分子フォト
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太田 仁
神戸大分子フォト
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鹿児島 誠一
東大院総合
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武田 啓司
東大理
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栗城 眞也
北大電子研
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持田 智行
神戸大理
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矢持 秀起
京大理
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矢持 秀樹
京大理
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中村 貴義
Crest:北大電子研
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持田 智行
東邦大学理学部
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持田 智行
東邦大理
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中村 貴義
物質研
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武田 啓司
北大電子研
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長谷川 達生
産総研
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長谷川 達生
産総研光技術
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藤澤 真士
神戸大連携創造
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長谷川 達生
産総研CERC
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十倉 好紀
産総研CERC
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堀内 佐智雄
産総研CERC
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十倉 好紀
Erato-mf:産総研:東大工:理研cmrg
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山田 寿一
産総研CERC
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平岡 牧
産総研CERC
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斎藤 軍司
京大院理
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山田 寿一
産総研
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湯目 玄
物質研
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齊藤 和裕
電総研
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斎藤 軍治
物性研
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斉藤 軍治
京大低物セ:京大院理
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十倉 好紀
産総研:東大工
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齋藤 軍治
名城大
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斉藤 軍治
名城大
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藤澤 真士
神戸大分子フォトセ
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川口 洋平
日立製作所・中央研究所
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稲辺 保
北大理
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阿部 恭
産総研CERC
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高橋 幸裕
北大院地球環境
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矢持 秀起
Jst-erato:京大低物セ
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堀内 左智雄
京大理
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川口 洋平
(株)日立製作所中央研究所
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石崎 徹
北大院地球環境
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長谷川 達生
北大院地球環境
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芥川 智行
北大院地球環境
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中村 貴義
北大院地球環境
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齋藤 軍治
京大理
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斎藤 和裕
電総研
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三成 尚人
住友金属鉱山
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川口 洋平
北大電子研
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Ohta Hitoshi
Department Of Physics Faculty Of Science Kobe University:venture Business Laboratory Kobe University
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野田 祐樹
北大院環境科学
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野田 祐樹
産総研
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川口 洋平
日立製作所中央研究所
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太田 仁
神戸大学分子フォトサイエンス研究センター
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野上 由夫
岡山大理
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石黒 武彦
京大理
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内藤 俊雄
北大理
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齋藤 軍治
名城大総研
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峠田 基樹
岡山大理
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松崎 秀昭
京大理
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中村 貴義
物質工学研
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橘 浩昭
物質工学研
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松本 睦良
物質工学研
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橘 浩昭
物質研
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植杉 克弘
北大電子研
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末宗 幾夫
北大電子研
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矢持 秀起
京大低温セ
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植杉 克弘
北海道大学電子科学研究所
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阿澄 玲子
物質研
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LAN Minbo
電総研
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中村 貴義
北大電子科学研
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池上 敬一
電総見
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黒田 新一
電総見
-
矢本 秀起
京大理
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齋藤 充喜
電総研
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川端 治郎
化技研
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斉藤 充喜
電総研
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斎藤 軍治
東大物性研
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末宗 幾夫
北海道大学電子科学研究所
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阿澄 玲子
産総研・ナノテク部門
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杉 道夫
桐蔭横浜大院工
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中村 貫人
室蘭工大
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Sienkiewicz A.
ポーランド科学アカデミー
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Forro L.
ローザンヌ連邦工科大
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長谷川 達夫
北大電子研
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芥川 智行
北大院環境科学
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野呂 真一郎
北大院環境科学
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中村 貴義
北大院環境科学
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野田 祐樹
北海道大学・電子科学研究所・大学院環境科学
-
帯刀 陽子
北海道大学・電子科学研究所・大学院環境科学
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Underhill A.
ウェールズ大
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根津 雄一郎
北大地環研
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野呂 真一郎
北大院環境科学:北大電子研
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太田 仁
神戸大分子フォトセ,神戸大連携創造
著作論文
- 21pGJ-13 S=1/2スピンラダー[Ph(NH_3)]([18]crown-6)[Ni(dmit)_2]のX-band ESR測定(21pGJ 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pYF-5 S=1/2分子性スピンラダー物質Ni(dmit)_2の非磁性不純物による微細構造(27pYF dmit系,π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aQH-13 S=1/2反強磁性スピンラダーNi(dmit)_2の不純物効果のESR測定(21aQH 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pWL-13 S=1/2 Ni(dmit)ラダー系物質のESR測定(25pWL 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 12p-B-13 ClO_4ドープ3C10-Au(dmit)_2LB膜の導電性と構造
- 25aC-5 巨大ボウイング効果を示すGaAs_N_x混晶の電場変調分光
- 26pYF-1 インクジェット有機金属電極を利用する有機薄膜トランジスタの動作特性3(26pYF 分子素子,有機FET 2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pRC-17 インクジェット有機金属電極を利用する有機薄膜トランジスタの動作特性2(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aXA-5 インクジェット有機金属電極を利用する有機薄膜トランジスタの動作特性(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aWB-10 S=1/2Ni(dmit)ラダー系物質の強磁場ESR(量子スピン(1次元系),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 31p-XB-6 偏光FT-IRによる長鎖アルキルDCNQI-Cu錯体LB膜の分子配向評価
- 26p-N-1 DCNQI錯体LB膜の作成III
- 30a-YP-11 DCNQI錯体LB膜の作成II
- 6p-C-8 DCNQI錯体LB膜の作成
- 28a-YS-3 BO錯体LB膜の分子配向
- 3p-S-14 BO錯体LB膜のESRII
- 28a-YK-7 C_ LB膜のESR
- 12p-B-14 BO錯体LB膜のESR
- 30a-C-7 APT(8-12)のLB膜のESRの光照射による変化
- 28a-K-2 長鎖ピリジウム(TCNQ)_2錯体LB膜の磁性と構造II
- 28a-M-11 長鎖ピリジニウム(TCNQ)_2錯体LB膜の磁性と構造
- 29p-ZF-13 電荷移動錯体LB膜のESR(XV) : (TMTTF)_3(C_TCNQ)_2膜の分子配向
- 25a-Z-5 電荷移動錯体LB膜のESR(XIV) : 長鎖Py(TCNQ)_2膜の分子配向
- 5a-K-13 電荷移動錯体LB膜のESR(XIII)
- 5a-K-12 電荷移動錯体LB膜のESR(X II)
- 31a-G-8 電荷移動錯体LB膜のESR (XI)
- 6a-L-8 電荷移動錯体LB膜のESR(IX)
- 4p-S4-3 電荷移動錯体LB膜のESR(VII)
- 26a-J-12 電荷移動錯体LB膜のESR(V) : TMTTFを含む系
- 26a-J-11 電荷移動錯体LB膜のESR(IV) : C_Py(TCNQ)_2
- 29a-QA-3 電荷移動錯体LB膜のESR
- 21pPSB-36 微小磁性体計測用高温超伝導dcマイクロSQUID磁束計の試作(領域3ポスターセッション,量子スピン系(一次元系),量子スピン系(二次元系),量子スピン系(クラスター系,および一般),フラストレーション系,磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pPSA-64 高温超伝導DCマイクロSQUIDの素子特性と磁束計の試作(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 13pWF-1 高温超伝導体 DC マイクロ SQUID 磁束計の試作 II(分子磁性体, ハロゲン架橋錯体, 領域 7)
- 30pWN-4 高温超伝導DCマイクロSQUID磁束計の試作(分子磁性体(合成・修飾・構造))(領域7)
- 金属錯体LB膜--現状と可能性
- 導電性LB膜
- 分子エレクトロニクスの展開
- 固相分子ローターの構築
- 27aYX-13 (BEDO-TTE)(Cl_2TCNQ) におけるスピン気体・スピン液体相転移
- 23aYG-3 (BEDT-TTF)(ClMeTCNQ)の圧力下電子スピン共鳴
- 25pE-12 (BEDT-TTF)(ClMeTCNQ)の圧力下中性-イオン性転移と誘電異常
- 31a-XB-8 (BEDT-TTF)(ClMeTCNQ)の圧力下電子相図
- 25a-N-11 BEDT-TTF系交互積層型電荷移動錯体による中性-イオン性転移
- 電気を通す単分子膜・LB膜
- 22aXD-8 有機錯体電荷移動励起子の電場変調分光
- 25pYD-1 金ナノ粒子-ポルフィリン誘導体からなる集積体の電気伝導挙動(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-6 分子集合体ナノワイヤ-金ナノ粒子連結系の電気伝導性(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 分子性導体から形成される低次元ナノ構造
- 分子性導体のナノスケール化と分子素子への展開 (特集:分子性材料と分子素子)
- ジチオレン錯体を用いた分子機能材料の開発
- 20pYF-9 金属錯体を用いた導電性・磁性材料の構築とデバイス化(領域7シンポジウム : 遷移金属イオンと有機分子が創る新しい構造体の化学と物理,領域7(分子性固体・有機導体))
- 夢の分子機械--超分子モーター
- 28pYD-2 電荷移動錯体結晶の電界効果ドーピング II
- E.A. Rietman, Molecular Engineering of Nanosystems, Springer-Verlag, New York, 2001, xiv+260p., 24×16cm, \11,040, Biological Physics Series, [専門書]
- 18pWD-5 固体表面への分子ナノワイヤ構造の構築
- マクロサイクリックカチオンを含む金属dmit錯体
- 分子性導体から分子デバイスへ-分子プログラム法の開拓
- 導電性[Ni(dmit)_2]錯体中に形成した超分子カチオンの自己組織化構造
- 18-crown-6イオン包接体 : 導電性Ni(dmit)錯体ハイブリッドシステム
- イオンチャンネル構造を結晶内に有するNi(dmit)_2錯体
- 導電性の新規LB膜
- 電気をとおすLB膜--導電性を高めるための試み
- 導電性LB膜--新デバイスへの展開
- 6aSD-3 (BEDT-TTF)(ClMeTCNQ)の量子臨界点近傍における誘電挙動(中性イオン性転移・フィリング制御,領域7)