3p-D2-6 アコースティック・エミッション(AE)法によるMX_2のCDW転移の研究(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1985-03-31
著者
関連論文
- 30p-RC-5 陽電子消滅法による半導体格子欠陥の研究
- 1p-F-8 K_Mo_6 O_の光電子分光
- 12p-Q-6 Cu-Siα相の陽電子消滅
- 2a-M-7 陽電子消滅法によるCDW転移
- 3p-PS-54 転位モデルによる,ピン止めされた電荷密度波のダイナミクスの研究
- 2p-KH-10 陽電子角相関法を用いた(TaSe_4)_2Iの研究
- 2p-KH-6 NbSe_3TaS_3等のCDW転移の一軸応力効果
- 13p-PS-12 2H-NbSe_2,2H-TaSe_2,1T-TaS_2中での陽電子消滅
- 27p-M-9 遷移金属カルコガナイドNbSe_2中での陽電子消滅 II
- 27p-M-2 1T-TaS_2の弾性異常
- 3a-B-12 遷移金属カルコゲナイドNbSe_2中での陽電子消滅
- 3a-B-1 1T-TaS_2, NbSe_3の弾性異常
- 30p-B-3 HfS_3のXPS
- 2a-F-14 遷移金属カルコゲナイドの状態密度 : ドップラー測定
- 2a-F-15 遷移金属カルコゲナイドのフェルミ面の異方性(角相関測定)
- 2a-F-8 陽電子消滅法による1T-TaS_2のCDW転移(II)
- 11a-L-3 熱平衡でのAgの陽電子寿命測定
- 微小重力下での薄膜の溶融・凝固実験
- 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
- 4p-F-9 (TaSe_4)_2Iの陽電子消滅スペクトル
- 5a-YB-5 BaF_2を用いた陽電子寿命測定
- 2a-KE-6 Ni-Si-B系アモルファス合金の構造緩和
- 2a-KE-5 陽電子消減法によるAl稀薄合金の物性研究
- 11p-L-12 Al-Mg希薄合金中での正ミューオンのスピン緩和
- 28a-H-7 パルス・ミューオンによるAl-Mg希薄合金中のスピン緩和
- 3a-SG-6 遷移金属中の分裂型格子間原子の格子振動
- 7a-J-11 BaTiO_3における運動する分域構造
- 7a-K-2 BaTiO_3における運動する縞模様の形態
- 26a-E-9 2次元ペンローズ・パタンの安定性
- 28a-YE-3 エピタキシャルBi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_X薄膜における磁束グラス・液体転移
- MOCVD法 - 高性能Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_x超伝導薄膜を後熱処理なしで作製 -
- 28a-R-11 STS/STMによる超伝導エネルギーギャップ分布の測定
- 27a-P-9 STS/STMによる層状物質の局所状態密度関数の測定
- 28a-D-4 STMによる2Ha-NbSe_2の原子像観察
- 3p-SG-5 FIMによるNbSe_3の研究
- JEMによる超伝導薄膜の作製
- MOCVD法による高品質Bi-2223超電導薄膜の作製 (特集:高温超電導) -- (高温超電導材料の探索)
- Bi系酸化物における磁束グラス・液体転移とその物理的背景 (特集:超電導材料特性評価)
- 27p-U-6 Fe-Ni合金中での陽電子消滅の温度依存
- 30p-RC-10 陽電子消滅二次元角度相関法による (SN)_xの研究
- 3a-A3-24 SiC中の結晶粒界の原子構造と電子構造
- 3a-A3-10 セルフコンシステント強結合近似電子輪における原子間力
- 3a-A3-9 半導体Si中の結晶粒界の活性準位の起源
- 3a-A3-8 半導体Si中の(21i)双晶の原子構造と電子構造
- 29a-F-5 スパック法によるMo/Al多層膜の作製と電気抵抗
- 27a-A-20 (TaSe_4)_2Iの電気抵抗・ヤング率・内部摩擦の同時測定
- 4a-NK-8 遷移金属カルコゲナイドの陽電子寿命測定
- 2p-W-25 遷移金属カルコゲナイドの電子構造
- 3a-A-2 遷移金属カルコゲナイド結晶の成長II
- 2a-NJ-2 Cu-Ge合金中のGe-Vおよびその集合体の陽電子消滅による研究
- 2a-NJ-1 Al-Sn合金中のSn-Vおよびその集合体の陽電子消滅による研究
- 2p-NJ-2 電界イオン顕微鏡によるMX_3の研究
- 4p-Q-3 合金多層膜の原子配列と弾性的性質(II)
- MOCVD法による高性能酸化物伝導薄膜の作製
- 30a-G-5 陽電子消滅法によるCu-Ge合金の時効
- 30a-G-4 陽電子消滅法によるAl-Ge合金中のGeの析出
- 2p-KE-2 合金多層薄膜の原子配列と弾性的性質
- 11a-L-6 鉄の破壊の計算機シミュレイション
- 2a-NL-12 遷移金属カルコゲナイドの低温ESCA
- 2a-C-6 アモルファスの回位モデル
- 3a-A-1 遷移金属カルコゲナイドの結晶成長(I)
- 2a GJ-6 銅α, β, γ相合金における格子欠陥と相変態
- 5a-AC-2 陽電子消滅法によるCu-Al-Ni系のマルテンサイト変態の研究
- 1a-BE-1 陽電子消滅角度相関法による銅γ相合金の研究
- 10p-N-11 陽電子消滅法による銅合金の空孔形成エネルギーの解析
- 4p-AC-1 規則-不規則変態のバンドモデルII
- 7p-Q-7 規則度と陽電子消滅の関係
- 30a-H-3 STMによる2H-NbSe_2の表面原子像と振幅異常(表面・界面)
- 31a-K3-5 2次元ペンローズ・パタンの安定性(II)(金属)
- 28a-K-12 Mo/Al多層膜の電気抵抗(金属)
- 28p-K-8 金属多層膜による一次元準結晶フィボナッチ格子の作製(金属)
- 3p-D2-6 アコースティック・エミッション(AE)法によるMX_2のCDW転移の研究(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)
- 1a-FB-4 (TaSe_4)_2Iの光電子分光(1a FB 半導体(擬一次元物質))
- 29a-FA-2 陽電子消滅γ線エネルギ測定によるシリコン単結晶の研究(29a FA 格子欠陥)