2a-NJ-1 Al-Sn合金中のSn-Vおよびその集合体の陽電子消滅による研究
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
21pHY-4 Al-Pd-Mn準結晶のPdのNi置換における熱電性能(21pHY 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
-
30p-RC-5 陽電子消滅法による半導体格子欠陥の研究
-
1p-F-8 K_Mo_6 O_の光電子分光
-
21aYJ-1 陽電子消滅法によるAlReSi近似結晶の空孔評価と電気物性(21aYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
-
27pYK-1 陽電子消滅法によるAlReSi近似結晶の空孔評価と電気物性(27pYK 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
-
14pXF-2 低速陽電子ビームを用いた水素吸着 Ni(111) 表面の評価(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
-
28pXM-12 陽電子誘起イオン脱離法を用いた低温金属単結晶表面実験システムの開発および評価(X線・粒子線(陽電子・コンプトン散乱))(領域10)
-
30a-YC-9 Ni表面からの陽電子刺激イオン脱離
-
12p-Q-6 Cu-Siα相の陽電子消滅
-
25aYB-5 AlPdMn準結晶のPdのNi置換と陽電子消滅実験(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
-
24aXP-6 陽電子消滅法を用いた1/1-AlReSi近似結晶の構造型原子空孔からの評価(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
-
20aRF-4 陽電子消滅法を用いたAlPdMn(Si)準結晶・近似結晶の空孔サイトの研究(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
-
20pRF-1 Cd-Ca系準結晶及び近似結晶の陽電子消滅による研究(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
-
28aXE-6 陽電子消滅コインシデンスドップラー測定法による1/1-AlReSi近似結晶の研究(28aXE 準結晶(理論,構造,物性(Al系)),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
-
19pYK-9 陽電子消滅法による1/1-AlReSi系近似結晶の研究(準結晶(構造,電子物性,表面,空孔),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
-
19pYK-8 Cd-Ca系準結晶及び近似結晶の低温領域における陽電子寿命変化(準結晶(構造,電子物性,表面,空孔),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
-
27pYQ-9 陽電子消滅法による1/1-AlReSiの欠陥サイトの研究(準結晶(構造),領域6(金属,超低音,超電導・密度波))
-
23aXB-11 低速陽電子を用いた水素吸着Ni(111)表面の水素吸着量の違いによる比較(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24aTD-4 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着表面での再放出特性(領域10,領域9合同格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
-
20pTG-1 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着表面での再放出陽電子(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
27pXJ-6 低速陽電子ビームによるNi(111)表面での吸着水素作用の研究(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
19aXF-1 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着層の研究(表面・界面ダイナミクス(金属表面・理論),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aWB-7 低速陽電子ビームを用いたNi(111)水素吸着層の研究(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
18aTH-3 水素雰囲気下において作成した金属薄膜の低速陽電子ビームによる測定と評価
-
29a-ZA-8 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の欠陥評価
-
25a-K-9 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜非晶質化の研究
-
3a-M-7 X線二次元位置敏感検出器の製作
-
11a-L-3 熱平衡でのAgの陽電子寿命測定
-
3p-C-5 陽電子消滅法によるAl-Ge合金の析出
-
4p-F-9 (TaSe_4)_2Iの陽電子消滅スペクトル
-
27p-U-6 Fe-Ni合金中での陽電子消滅の温度依存
-
30p-RC-10 陽電子消滅二次元角度相関法による (SN)_xの研究
-
25p-A-9 静電型低速陽電子ビームの製作
-
27a-T-3 摂動角相関法によるCu-Hf金属多層膜の構造研究
-
27a-T-2 MA法による非晶質FeHf, CoHf, NiHfの作成とPACによる構造研究
-
4p-Z-8 非晶質Cu-HfのPACによるMA過程の研究
-
4p-Z-7 MA法による非晶質NiHf,FeHf,CoHf,の作成とPACによる構造研究
-
29a-F-5 スパック法によるMo/Al多層膜の作製と電気抵抗
-
27a-A-20 (TaSe_4)_2Iの電気抵抗・ヤング率・内部摩擦の同時測定
-
3a-C-9 陽電子消滅法による加工アルミニウムのStage III温度領域における初期回復過程の研究
-
3a-C-8 空孔集合体初期形成ステージの評価と複空孔の役割
-
3a-C-7 ^Hfをプローブとした摂動角相関(PAC)及び陽電子消滅によるAl-Hf希薄合金の研究
-
1a-KL-4 Hfを核種とした摂動角相関による格子欠陥の研究
-
11p-L-14 摂動角相関によるAl-Hf希薄合金の研究
-
11p-L-9 高純度アルミニウム金属中の原子空集合体の初期生成過程の陽電子消滅による研究
-
11p-L-8 希薄Al-Ti合金中の原子空孔及びその集合体の陽電子消滅法による研究
-
28a-H-8 Yb核をプローブとしたPAC (摂動角相関法) による格子欠陥の研究
-
28a-H-5 陽電子消滅法によるAl-In希薄合金中の点欠陥の研究
-
28a-H-4 陽電子消滅法によるAl-Si希薄合金中の点欠陥の研究
-
1a-SG-10 面心立方金属中の溶質原子 : 空孔集合体形成の陽電子消滅による研究
-
1a-SG-9 急冷Al-Si合金の陽電子消滅による研究
-
1a-SG-8 PAC(摂動角相関)による急冷Al-Yb希薄合金の格子欠陥の研究
-
30p-T-9 急冷希薄AlおよびCu合金の陽電子消滅法による研究
-
陽電子誘起イオン脱離装置の開発
-
低速陽電子を用いた金属人工格子の研究
-
陽電子分光(話題を探る)
-
初心者を対象とした図書情報のデータベース利用教育
-
大学におけるデータベース利用教育の意義とその問題点
-
大学生を対象としたCAIによる情報検索教育
-
28p-YG-1 はじめに
-
4a-NK-8 遷移金属カルコゲナイドの陽電子寿命測定
-
25p-A-11 陽電子消滅法によるAl-Cu-Feの構造研究
-
31p-F-10 陽電子消滅法による準結晶Al-Mn-Si-Ruの構造研究
-
31p-F-8 非晶質Al-Mn-Si合金の短範囲構造
-
2a-NJ-2 Cu-Ge合金中のGe-Vおよびその集合体の陽電子消滅による研究
-
2a-NJ-1 Al-Sn合金中のSn-Vおよびその集合体の陽電子消滅による研究
-
4p-Q-3 合金多層膜の原子配列と弾性的性質(II)
-
30a-F-3 陽電子消滅ドップラー法とライフタイム法による準結晶AlMnの研究
-
30p-RC-8 BaF_2による陽電子寿命の測定
-
1p-M-9 陽電子消滅法による微小空孔集合体の転位ループへのつぶれの評価
-
30a-T-12 Cu-GeおよびAl-Ge合金中の固溶GeとGe-空孔対のNMR Knight Shiftによる研究
-
2p-NJ-1 Geを含む面心立方金属中の格子欠陥のNMRによる研究
-
1a-G-8 Al-GeおよびAl-Si合金のZener Relaxation
-
30p-G-4 Al-Ge合金中の固溶GeおよびGe-空孔対による核磁気共鳴
-
30p-G-3 Cu-Ge合金中の固溶GeおよびCu-空孔対による核磁気共鳴
-
30a-G-5 陽電子消滅法によるCu-Ge合金の時効
-
30a-G-4 陽電子消滅法によるAl-Ge合金中のGeの析出
-
内部摩擦測定装置の製作とその固体物性への応用
-
2p-KE-2 合金多層薄膜の原子配列と弾性的性質
-
11a-L-6 鉄の破壊の計算機シミュレイション
-
2a-C-6 アモルファスの回位モデル
-
30a-H-9 共晶型Al合金中での析出と内部摩擦
-
3a-SG-12 急冷Al-Si合金の内部摩擦
-
3a-SG-11 急冷Al-Ge合金の内部摩擦
-
2a-NJ-13 点欠陥近傍の格子振動 II
-
3a-C-6 格子欠陥共鳴モード振動数評価の問題点
-
3a-C-5 点欠陥共鳴モードのソフト化の可能性
-
2a GJ-6 銅α, β, γ相合金における格子欠陥と相変態
-
5a-AC-2 陽電子消滅法によるCu-Al-Ni系のマルテンサイト変態の研究
-
1a-BE-1 陽電子消滅角度相関法による銅γ相合金の研究
-
10p-N-11 陽電子消滅法による銅合金の空孔形成エネルギーの解析
-
3p-WB-13 グラファイト・ルビニウム層間化合物の陽電子消滅スペクトラム
-
4p-AC-1 規則-不規則変態のバンドモデルII
-
7p-Q-7 規則度と陽電子消滅の関係
-
28a-K-12 Mo/Al多層膜の電気抵抗(金属)
-
28p-K-8 金属多層膜による一次元準結晶フィボナッチ格子の作製(金属)
-
3p-D2-6 アコースティック・エミッション(AE)法によるMX_2のCDW転移の研究(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)
-
1a-FB-4 (TaSe_4)_2Iの光電子分光(1a FB 半導体(擬一次元物質))
-
30p-CM-10 Al-Mn準結晶の陽電子消滅測定(金属)
-
29a-FA-2 陽電子消滅γ線エネルギ測定によるシリコン単結晶の研究(29a FA 格子欠陥)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク