金拡散シリコンMOSFET
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概要
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Si-MOSFETに金を拡散することによって生じるしきい値電圧の変化を実験と理論計算の両面から検討した.比低抗60〜80Ωcmのn型基板を用いてエンハンスメント型n-MOSFETが1,000℃の金拡散で得られた.実験結果に基づいて,金拡散C-MOSインバータを試作した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-12-25
著者
-
佐藤 洋一
東海大学短期大学部非常勤講師
-
岡田 工
東海大学短期大学部
-
崔 一〓
東海大学短期大学部
-
渡辺 一仁
東海大学付属浦安高等学校
-
崔 一瑛
東海大学短期大学部半導体デバイスセンタ
-
梶 平和
ナショナルセミコンダクタージャパン株式会社
-
渡辺 一仁
東海大学短期大学部半導体デバイスセンタ
-
崔 一瑛
東海大学短期大学部
-
佐藤 洋一
東海大学短期大学部情報ネットワーク学科
-
佐藤 洋一
東海大学短期大学部
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