高密度高均一量子ドットを用いた量子ドットレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

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概要

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我々は高密度な量子ドットを用いた量子ドットレーザの研究を行っている。As_2分子線と組成傾斜歪み緩和層を用いることで, 量子ドット密度の1.0×10^<11>cm^<-2>を超える高密度化を実現した。また, 併せてPL半値幅22meVの均一化も実現した。さらに高密度化と高均一化が実現した量子ドットからPL測定により基底準位の発光強度増強も確認できた。この高密度かつ高均一な量子ドットを用いた半導体レーザを製作し, 高反射膜ミラー構造無しでもレーザ発振を実現した。また, 一層当たり8cm^<-1>を超える大きなモード利得を得たので報告する。この結果は量子ドットを高密度かつ高均一にしたためであり, 通信用量子ドットレーザの実用化に向けて大きな成果と考えている。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-12-02

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