1.3μm帯量子ドットDFBレーザ : 高密度量子ドットと縦型グレーティングの導入(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-12-05
著者
-
小森 和弘
産業技術総合研究所
-
小森 和弘
産総研、CREST-JST
-
小森 和弘
(独)産業技術総合研究所 光技術研究部門 光電子制御デバイスグループ:科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 Crestタイプ
-
五島 敬史郎
産業技術総合研究所
-
菅谷 武芳
産業技術総合研究所
-
天野 建
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
森 雅彦
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
菅谷 武芳
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森 雅彦
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五島 敬史郎
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小森 和弘
産業技術総合研 光技術研究部門
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天野 建
産業技術総合研究所
-
森 雅彦
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