結合量子細線の電子状態と発光特性
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概要
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V溝上に形成したGaAs結合量子細線の電子状態を有限要素法を用いた理論解析によって調べた.理論解析からは,三日月形状した結合量子細線においても,結合量子系の特徴である対称と反対称状態に相当する電子状態が存在することが明らかになった.以上の解析結果とPL発光特性から得られた結合準位とを比較したところ,比較的良い一致を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-10
著者
-
小森 和弘
産業技術総合研究所
-
渡辺 正信
産業技術総合研究所
-
小森 和弘
産総研、CREST-JST
-
池田 紘一
東京理科大学
-
池田 紘一
国際活動委員会
-
小森 和弘
通商産業省工業技術院 電子技術総合研究所
-
荒川 真澄
東京理科大学
-
渡辺 正信
通商産業省工業技術院 電子技術総合研究所
-
池田 紘一
東京理科大
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