天野 建 | 産業技術総合研究所光技術研究部門
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概要
関連著者
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天野 建
産業技術総合研究所光技術研究部門
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小森 和弘
産業技術総合研究所
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小森 和弘
(独)産業技術総合研究所 光技術研究部門 光電子制御デバイスグループ:科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 Crestタイプ
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小森 和弘
産業技術総合研 光技術研究部門
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天野 建
産業技術総合研究所
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小森 和弘
産総研、CREST-JST
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菅谷 武芳
産業技術総合研究所
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産業技術総合研究所光技術研究部門
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森 雅彦
産業技術総合研究所光技術研究部門
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森 雅彦
産業技術総合研究所 光技術研究部門
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森 雅彦
産業技術総合研究所
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鈴木 基史
産業技術総合研
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鈴木 基史
産業技術総合研究所
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鈴木 基史
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青柳 昌宏
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青柳 昌宏
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五島 敬史郎
産業技術総合研究所光技術研究部門
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天野 建
光電子融合基盤技術研究所
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佐々木 史雄
光電子融合基盤技術研究所
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浮田 茂也
光電子融合基盤技術研究所
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松岡 康信
光電子融合基盤技術研究所
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青柳 昌宏
光電子融合基盤技術研究所
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小森 和弘
光電子融合基盤技術研究所
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浮田 茂也
光電子融合基盤技術研究所:産業技術総合研究所
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佐々木 史雄
光電子融合基盤技術研究所:産業技術総合研究所
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小森 和弘
光電子融合基盤技術研究所:産業技術総合研究所
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青柳 昌宏
光電子融合基盤技術研究所:産業技術総合研究所
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青柳 昌宏
産業技術総合研究所
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浮田 茂也
産業技術総合研究所
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佐々木 史雄
産業技術総合研究所
著作論文
- 高密度量子ドットを用いた1.3μm帯ストライプレーザの低しきい値電流動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度量子ドットを用いた1.3μm帯ストライプレーザの低しきい値電流動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- 1.3μm帯量子ドットDFBレーザ : 高密度量子ドットと縦型グレーティングの導入(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高密度高均一量子ドットを用いた量子ドットレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- C-3-38 ポリマー光回路を用いた面出射光源(パッシブデバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ポリマー光回路を用いた面出射光源の研究(半導体レーザ関連技術,及び一般)